外延片的评价方法和外延片技术

本发明专利技术提供一种能够高灵敏度地检测外延片的缺陷·异物的新的评价方法。该评价方法是使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对外延片进行评价的方法。使入射光从一个入射系统向外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收该放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收该放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中所选择的异常类作为亮点来检测，进行外延片的评价，第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

Epitaxial sheet evaluation method and epitaxial sheet

The present invention provides a new evaluation method for detecting defects and foreign bodies of epitaxial wafers with high sensitivity. The evaluation method uses a laser surface inspection device with an incident system and a light receiving system to evaluate an external film. The incident light from an incident surface layer system extends outward to the incident, the incident light is through epitaxial layer surface reflection or scattering and radiation, the first light receiving system receives light and determination results of the 1, the second light receiving system receives the light radiation and determination results of the 2, the third light receiving system receives the radiation light and determination results of the 3, based on the determination results of the 1, 2 Determination results and results of 3, will be selected to detect abnormal class from the surface to the epitaxial layer of the epitaxial layer causes defects and non epitaxial layer group in the cause of foreign body as a bright spot, evaluate the epitaxial wafer, first light system, second light system and third light system by light angle and polarization selectivity in at least one different from each other.

【技术实现步骤摘要】
外延片的评价方法和外延片
本专利技术涉及一种外延片的评价方法和外延片。
技术介绍
作为半导体晶片的缺陷·异物的评价方法，基于由激光表面检查装置所检测到的亮点(LPD；LightPointDefect，光点缺陷)的方法被广泛使用(例如参照专利文献1)。该方法是这样一种方法，即，使光入射到评价对象晶片的表面，通过检测来自该表面的放射光(散射光和反射光)，对晶片的缺陷及付着于表面的异物的有无及尺寸进行评价。专利文献专利文献1：特许第3664134号说明书。
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利文献1提出下述一种方案，即，通过使至少一个入射系统和多个受光系统组合，检测不同种类的缺陷及异物。另一方面，在半导体基板上形成有外延层的半导体晶片，即外延片上能存在各种形状和尺寸的缺陷·异物。如果能够高灵敏度地检测出这些缺陷·异物，则通过基于检测结果对用于消除缺陷·异物的发生原因等的制造工序进行管理，就能够提供缺陷·异物更少的外延片。因此本专利技术的目的在于提供一种能够高灵敏度地检测外延片的缺陷·异物的新的评价方法。用于解决问题的手段激光表面检查装置由入射系统和受光系统构成。本专利技术的专利技术人努力研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种评价方法，使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对在半导体基板上具有外延层的外延片进行评价，其特征在于，该方法包括：使入射光从一个入射系统向所述外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收所述放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收所述放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于所述外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中选择的异常类作为亮点来检测，进行所述外延片的评价，所述第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

【技术特征摘要】
2016.02.12 JP 2016-0248671.一种评价方法，使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对在半导体基板上具有外延层的外延片进行评价，其特征在于，该方法包括：使入射光从一个入射系统向所述外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收所述放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收所述放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于所述外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中选择的异常类作为亮点来检测，进行所述外延片的评价，所述第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，在所述三个受光系统中，一个受光系统接收全方位光，其他两个受光系统分别选择地接收方位角不同的偏振光。3.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，接收所述全方位光的受光系统的受光角比其他两个受光系统的受光角高。4.根据权利要求2或3所述的评价方法，其特征在于，所述其他两个受光...

【专利技术属性】
技术研发人员：森敬一朗，长泽崇裕，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP