一种过孔倒角预测方法技术

本发明专利技术公开了一种过孔倒角预测方法，属于显示器领域。所述方法包括：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；钝化层包括层叠设置的N个子层，N个子层中M个子层与M个钝化子层一一对应，对应设置的子层与钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层。通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率，然后再进行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种过孔倒角预测方法
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种过孔倒角预测方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是利用夹在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示器的结构一般包括背光模组、偏光片、阵列基板、彩膜(ColorFilter，CF)基板以及填充在这两个基板组成的盒中的液晶分子层。阵列基板包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，钝化层上设置有像素电极，钝化层上开设有过孔，用于连通源漏极和像素电极。钝化层通常分为层叠设置在源漏极上的缓冲层、主体层和顶层，在开设过孔时，过孔在缓冲层常会出现倒角，后续形成像素电极时，像素电极在倒角处可能出现断裂，从而影响信号传输。为了避免上述情况，现有技术通常会在过孔制作完成后，采用扫描电子显微镜观察过孔是否存在倒角，一方面检测耗时长，另一方面，扫描电子显微镜价格昂贵，成本高。
技术实现思路
为了解决采用扫描电子显微镜检测过孔时，耗时长、成本高的问题，本专利技术实施例提供了一种过孔倒角预测方法。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种过孔倒角预测方法，所述方法包括：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠设置的N个子层，所述N个子层中连续设置的M个子层与所述M个钝化子层一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层；当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。在本专利技术实施例的一种实现方式中，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率，包括：在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；对所述钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述基板为衬底基板，或者所述基板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：对所述钝化子层进行局部刻蚀。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行局部刻蚀，包括：刻蚀所述钝化子层并形成凹槽。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：对所述钝化子层进行整层刻蚀。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率，包括：采用所述钝化子层的初始膜厚与所述钝化子层的最终膜厚的差值除以所述钝化子层的刻蚀时间，得到所述钝化子层的刻蚀速率。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的厚度为3000至5000埃。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的刻蚀条件和在所述钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相同。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述钝化层包括层叠设置的缓冲层、主体层和顶层，所述分别测量至少两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，包括：分别测量两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，所述两个钝化子层中的一个钝化子层与所述缓冲层的生长条件相同，所述两个钝化子层中的另一个钝化子层与所述主体层的生长条件相同。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：在本专利技术实施例中，先分别测量M个钝化子层的刻蚀速率，这M个钝化子层与钝化层中的M个子层一一对应，由于实际生长钝化层时，如果钝化层中相邻两个子层中位于下方的子层的刻蚀速率大于位于上方的子层的刻蚀速率，那么刻蚀时，位于下方的子层在横向上被刻掉的部分多于位于上方的子层，这样就会产生倒角，因此根据至少两个钝化子层的刻蚀速率的大小，即可预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；预测既可以在实际过孔制作前完成，也可以在实际过孔后完成；因此通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率，然后再进行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图；图3A-图3B、图4A-图4B是本专利技术实施例提供的缓冲层刻蚀过程的示意图；图5所示为形成过孔时未产生倒角的钝化层结构示意图；图6所示为形成过孔时产生倒角的钝化层结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图，参见图1，该方法包括：步骤101：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，M＞1，且M为正整数。在本专利技术实施例中，M个钝化子层中每个钝化子层的刻蚀速率测量方法均相同，测量每个钝化子层的刻蚀速率可以包括：在基板上形成钝化子层，并测量钝化子层的初始膜厚；对钝化子层进行刻蚀，并测量钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；根据钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算钝化子层的刻蚀速率。在本专利技术实施例中，M个钝化子层的测量顺序可以不同，例如M个钝化子层依次测量，或者全部或者部分钝化子层同时测量。对于不同的测量顺序，所采用的基板也可能不同，具体地，基板可以为衬底基板，或者基板可以为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者基板可以为已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。采用衬底基板，实现简单，且材料要求低；采用TFT阵列基板，更贴合实际场景，有利于保证测试准确性；采用已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板，可以在完成一个或多个钝化子层的刻蚀速率测量后，继续进行钝化子层刻蚀速率测量，无需使用新的基板，节省材料。其中，衬底基板包括但不限于玻璃基板、硅基板或者塑料基板。其中，TFT主要包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极。在本专利技术实施例中，对钝化子层进行刻蚀包括两种实现方式：对钝化子层进行局部刻蚀或者对钝化子层进行整层刻蚀。对钝化子层进行局部刻蚀，更贴合实际场景，有利于保证测试准确性；对钝化子层进行整层刻蚀，刻蚀工艺及后续测量更简便。其中，对钝化子层进行局部刻蚀的过程主要包括：在钝化子层上形成光刻胶；对光刻胶进行曝光显影，使光刻胶上形成图案，该图案中镂空处的钝化子层露出；对露出的钝化子层进行刻蚀。其中，对露出的钝化子层进行刻蚀具体采用干刻蚀工艺实现。对钝化子层进行整层刻蚀时，直接对钝化子层进行干刻蚀即可。进一步地，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过孔倒角预测方法，其特征在于，所述方法包括：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠设置的N个子层，所述N个子层中M个子层与所述M个钝化子层一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层；当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。

【技术特征摘要】
1.一种过孔倒角预测方法，其特征在于，所述方法包括：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠设置的N个子层，所述N个子层中M个子层与所述M个钝化子层一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层；当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率，包括：在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；对所述钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板为衬底基板，或者所述基板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠，王丹名，李扬，黄斗冬，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51