包封在弹性材料中的压力传感器与包括压力传感器的系统技术方案

本披露涉及包封在弹性材料中的压力传感器与包括压力传感器的系统。一种封装压力传感器，包括：MEMS压力传感器芯片；以及由具体为PDMS的弹性材料制成的包封层，所述包封层在所述MEMS压力传感器芯片之上延伸并且形成用于将施加在所述包封层的表面上的力朝向所述MEMS压力传感器芯片传递的装置。

Pressure sensor enclosed in elastomeric material and system comprising a pressure sensor

The disclosure relates to a pressure sensor enclosed in an elastomeric material and a system including a pressure sensor. A package includes a pressure sensor, MEMS pressure sensor chip; and is made of elastic material by specific PDMS package seal, the seal bag extends above the MEMS pressure sensor chip and forming device for applying to the surface of the package layer on the force toward the MEMS pressure sensor chip transfer.

【技术实现步骤摘要】
包封在弹性材料中的压力传感器与包括压力传感器的系统
本披露涉及封装压力传感器，涉及包括封装压力传感器的组件，涉及包括封装压力传感器的系统并且涉及制造封装压力传感器的方法。
技术介绍
半导体压力传感器通过检测作用在悬置于半导体本体之上的硅树脂的薄膜或隔膜上的压力而工作。半导体本体和膜的组件限定了当力作用在其上时针对膜的偏离的腔体。目前，传感器已知能够测量高压力值并且配备有不锈钢芯，固定在所述不锈钢芯上的是应变计元件。应变计元件检测通过电阻变化而与应变计元件相关联的芯的几何变形。然而，出于可靠性、尺寸和成本的原因，这些传感器对于在汽车应用中使用而言不是非常便利。此外，它们并不提供高精度。同样存在利用半导体技术获得的已知的集成压力传感器。这些传感器典型地包括悬在设置在硅体中的腔体之上的薄膜或隔膜。形成在薄膜内的是连接在一起以形成惠斯通电桥(WheatstoneBridge)的压阻元件。当受压力时，膜变形、引起压阻元件电阻的改变，并因此惠斯通电桥不平衡。作为替代方案，电容式传感器是可用的，其中，膜提供电容器的第一极板，而第二极板是由固定参照物提供的。在使用过程中，膜的偏离生成电容器的电容变化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装压力传感器(1；29；30；33)，包括：MEMS压力传感器芯片(6)；以及在所述MEMS压力传感器芯片(6)之上由固化弹性材料制成的包封层(12；31；32)，所述包封层被配置成用于将施加于所述包封层表面上的力(16)传递至所述MEMS压力传感器芯片。

【技术特征摘要】
2016.02.15 IT 1020160000150811.一种封装压力传感器(1；29；30；33)，包括：MEMS压力传感器芯片(6)；以及在所述MEMS压力传感器芯片(6)之上由固化弹性材料制成的包封层(12；31；32)，所述包封层被配置成用于将施加于所述包封层表面上的力(16)传递至所述MEMS压力传感器芯片。2.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述包封层(31；32)被配置成用于直接接收所述力(16)。3.根据权利要求1或2所述的封装压力传感器，其中，所述包封层(31；32)直接暴露于所述封装压力传感器周围的环境。4.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述弹性材料是从以下各项当中选择的：聚二甲硅氧烷、温度稳定型弹性材料和橡胶。5.根据以上权利要求中任一项所述的封装压力传感器，其中，所述MEMS压力传感器芯片(6)包括以下各项中的至少一项：膜、隔膜以及一个或多个压阻区域。6.根据以上权利要求中任一项所述的封装压力传感器，其中，进一步包括容器(2)，所述容器具有容纳所述MEMS压力传感器芯片(6)的内部空腔(4)，所述包封层填充所述容器(2)的所述内部空腔(4)。7.根据权利要求6所述的封装压力传感器，其中，所述容器(2)具有第一开口(26)，导电元件(28)延伸穿过所述第一开口(26)与所述MEMS压力传感器芯片(6)电接触。8.根据权利要求6或7所述的封装压力传感器，其中，所述容器(2)具有第二开口，通过所述第二开口暴露所述包封层(31)的顶表面(31a)，所述包封层(31)的所述顶表面(31a)限定施加所述力(16)的区域。9.根据权利要求8所述的封装压力传感器，其中，所述包封层(31)通过所述第二开口从所述容器(2)中突出。10.根据权利要求8或9所述的封装压力传感器，其中，所述包封层(31)的所述顶表面(31a)具有为以下各种情况之一的轮廓：弯曲的、凸起的、平面的。11.根据权利要求6或7所述的封装压力传感器，其中，所述容器(2)具有与所述包封层的所述表面直接接触的帽盖(14)，所述帽盖限定施加所述力(16)的区域，所述帽盖被配置成用于响应于所述力而变形，由此将所述力传递至所述包封层。12.根据以上权利要求中任一项所述的封装压力传感器，其中，所述MEMS压力传感器芯片(6；20)是第一MEMS压力传感器芯片并且耦合在第一支撑区域(18)上，并且第二MEMS压力传感器芯片(21)耦合在第二支撑区域(19)上，所述第一和第二支撑区域位于不同平面上。13.根据权利要求11和12所述的封装压力传感器，其中，所述帽盖(14)在所述第一支撑区域(18)处具有第一厚度(t1)并且在所述第二支撑区域(19)处具有大于所述第一厚度的第二厚度(t2)。14.根据以上权利要求中任一项所述的封装压力传感器，进一步包括印刷电路板(8)，所述MEMS压力传感器芯片(6)被安装在所述印...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·杜奇，B·穆拉里，S·康蒂，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT