基于超磁致伸缩材料Terfenol-D的无源压力传感器制造技术

本实用新型专利技术为一种基于超磁致伸缩材料Terfenol-D的无源压力传感器，其结构为：整体结构为轴对称式圆柱结构，下端盖上安装有带底圆筒轭铁，在带底圆筒轭铁的底部有下永磁铁，下永磁铁的上方边缘安装有下环状梯形轭铁，下永磁铁的上方中心安装有Terfenol-D棒，Terfenol-D棒上粘有应变片；Terfenol-D棒正上方有上永磁铁，上永磁铁下方有上环状梯形轭铁，与下环状梯形轭铁对应；上永磁铁上方安装有圆形轭铁，圆形轭铁和非导磁垫片间安装有弹簧；非导磁垫片上方中心安装倒T型顶杆，顶杆底端与非导磁垫片接触；在带底圆筒轭铁的外部安装圆筒状外套，螺杆穿过下端盖和上端盖边缘内部的开孔，用螺帽固定，使上端盖、圆筒状外套和下端盖封装成一个闭合的结构。本实用新型专利技术无需额外的外接电源结构简单，牢固可靠。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于磁致伸缩传感器领域，特别涉及一种以超磁致伸缩材料Terfenol-D为敏感元件的无源磁致伸缩压力传感器。技术背景 现有的压力传感器种类繁多，典型的压力传感器有压阻式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器、压电式压力传感器。压阻式压力传感器利用半导体材料的压阻效应制成，它的基片由半导体材料制成，在外力作用下，基片产生形变，阻值发生变化，电桥失去平衡，从而输出电压信号。该传感器受温度影响大，重复性较差，且对半导体的加工工艺要求复杂，成本高。电容式压力传感器输出阻抗高，负载能力差，寄生电容影响大,且由于电荷泄漏难于避免，不适宜静态力的测量。谐振式压力传感器制造工艺相对复杂，振动元件集成在压力敏感膜上，二者的机械耦合易出现问题。压电式压力传感器压电转换元件无静态输出，某些压电材料需要防潮措施，而且输出的直流响应差，需要采用高输入阻抗电路或电荷放大器来克服这一缺陷。Terfenol-D的超磁致伸缩材料是一种新型功能材料,凭借室温下具有大的磁致伸缩(1200X 10_6 2000X 10_6)，高的机电耦合系数(0. 7 0. 75)，响应速度快等优点引起了国内外学术界和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于超磁致伸缩材料Terfenol?D的无源压力传感器，其特征为该传感器的结构为：整体结构为轴对称式圆柱结构，下端盖上安装有带底圆筒轭铁，在带底圆筒轭铁的内腔底部安装有下永磁铁，下永磁铁的上方边缘安装有下环状梯形轭铁，下永磁铁的上方中心安装有超磁致伸缩Terfenol?D棒，超磁致伸缩Terfenol?D棒上粘有应变片；?超磁致伸缩Terfenol?D棒的正上方安装有上永磁铁，上永磁铁下方边缘安装有上环状梯形轭铁，与下环状梯形轭铁对应；上永磁铁上方安装有圆形轭铁，圆形轭铁和非导磁垫片间安装有弹簧；非导磁垫片上方中心安装倒T型顶杆，顶杆底端与非导磁垫片接触，顶杆的柱端带有螺纹；在带底圆筒轭铁...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王博文，翁玲，王志华，孙英，黄文美，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：实用新型
国别省市：