具有成环连接的霍尔效应区的电子器件制造技术

本发明专利技术提供了一种具有成环连接的霍尔效应区的电子器件。该电子器件包括n个霍尔效应区，其中n>1，其中，这n个霍尔效应区彼此隔离。该电子器件还包括在n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触，其中，这些接触包括：各个霍尔效应区的第一接触和第二接触。对于k=1至n-1，第（k+1）个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触，且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触。这至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触。各个霍尔效应区包括至少两个供电接触中的至多一个和至少两个检测接触中的至多一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及一种电子器件和检测方法。具体地，该电子器件可以是用于检测诸如磁场或物体内部机械应力的物理量的传感器件。
技术介绍
电子器件可用于检测或测量物理量。为检测或测量平行于例如半导体芯片表面的磁场强度和方向，可使用垂直霍尔器件。大多数垂直霍尔器件遭受着这样的事实用于消除霍尔器件的零点误差的旋转电流(spinning current)法不能很好地工作。采用旋转电流方案(spinning current scheme)的已知方法,可以获得约ImT的零点残余误差。这种相当差的偏移行为的原因可在垂直霍尔器件的不对称性中找到。尽管知道如何连接四个垂直霍尔器件来改善对称性，但接触电阻仍会导致残余不对称性。 可检测或测量的另一物理量是物体(诸如衬底，具体地，半导体衬底)内部的机械应力。为此，可使用具有与霍尔器件类似的结构的电子器件。事实上，可足以稍微修改合适的霍尔器件的一些内部连接来获得机械应力传感器。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供了一种电子器件，包括η个霍尔效应区，其中η>1，其中，该η个霍尔效应区彼此隔离。该电子器件包括在η个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：整数n个霍尔效应区，其中n>1，其中，所述n个霍尔效应区彼此隔离；其中，所述电子器件包括在所述n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触，其中，所述接触包括各个霍尔效应区的第一接触和第二接触；其中，对于k=1至n？1，第（k+1）个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触，且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触；其中，所述至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触；其中，各个霍尔效应区包括所述至少两个供电接触中的一个；以及其中，各个霍尔效应区包括所述至少两个检测接触中的一个。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：乌多·奥塞尔勒基纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：