一种生长石墨烯的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种生长石墨烯的装置，包括反应腔、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔内固定设置有用于将反应腔分为生长室和匀气室的匀气筛，所述生长室内固定设置有层层叠加的生长基底，所述进气机构和真空抽气机构均通过电磁阀与匀气室连通。本实用新型专利技术能使各层生长基底之间的气流均匀分布，解决了石墨烯生长过程中各层生长基底之间气流均一性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种生长石墨烯的装置
本技术属于石墨烯领域，尤其涉及一种生长石墨烯的装置，具体而言是一种使用CVD方法生长石墨烯的装置。
技术介绍
CVD方法生长的石墨烯质量高，层数可控，杂质少，因此越来越受到人们的重视。目前利用CVD方法生长石墨烯的炉体结构一般为管式炉结构，而在工业生产大面积规模化生产中，也普遍采用管式炉结构。将管式炉的结构放大，外置加热丝，管式炉石英管最大可以做到500mm。在管式炉中放置上金属生长基底，将金属基底升温，通入甲烷、乙烯、乙炔等碳源气体或者直接用固体碳源，再通入氢气作为还原气氛，氩气等惰性气体作为载气，在高温下，金属将碳源气体或固体裂解，最后在金属表面形成石墨烯。为了提高生产效率，目前工业上将生长基底用层层叠加的方式于耐高温材料加工的架子上，耐高温材料为石英板、刚玉板等。这种方式导致生长气流容易出现不均匀并使得生长不均匀的情况，这是因为气流进入生长腔体后，具有一定的动能并且容易随着最短路径进入抽气系统。由于工业化生长的基底面积较大，气流在金属基底表面还容易形成涡流，因而导致石墨烯的生长面内不均匀。目前为了使气流均匀采用的最普遍的方案是利用长距离的气流运输，使得气流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长石墨烯的装置，其特征在于：包括反应腔（1）、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔（1）内固定设置有用于将反应腔（1）分为生长室（3）和匀气室（4）的匀气筛（2），所述生长室（3）内固定设置有层层叠加的生长基底（5），所述进气机构和真空抽气机构均通过电磁阀与匀气室（4）连通。

【技术特征摘要】
1.一种生长石墨烯的装置，其特征在于：包括反应腔（1）、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔（1）内固定设置有用于将反应腔（1）分为生长室（3）和匀气室（4）的匀气筛（2），所述生长室（3）内固定设置有层层叠加的生长基底（5），所述进气机构和真空抽气机构均通过电磁阀与匀气室（4）连通。2.如权利要求1所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述匀气室（4）的数量为两个，所述生长室（3）位于两个匀气室（4）之间，所述进气机构通过电磁阀与其中一个匀气室（4）连通，所述真空抽气机构通过电磁阀与另一个匀气室（4）连通。3.如权利要求1所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述匀气室（4）的数量为两个，所述生长室（3）位于两个匀气室（4）之间，所述进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室（4）连通，所述真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室（4）连通。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：牟舜禹，高华，尹天平，何洪泉，
申请(专利权)人：德阳烯碳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51