发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和主动层，且包括第一表面和第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层欧姆接触；以及第一电极和第二电极，其设置在发光结构的第一表面上，其中第一电极和第二电极分别包括烧结的金属粒子，且第一电极和第二电极各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。因此，本发明专利技术的发光器件具有更高的可靠性和优良的电特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置及其制造方法
本专利技术涉及一种发光器件及其制造方法，具体而言，涉及一种具有优异的机械性能和更高的可靠性并包括具有优良热特性和电特性的电极的发光器件及其制造方法。
技术介绍
近来，随着对小尺寸、高输出发光器件的需求增加，对具有优异散热效率的大面积倒装芯片型发光器件的需求增加。倒装芯片型发光器件的电极直接粘合到第二基板，并且不使用用于将外部电源供给倒装芯片型发光器件的导线，使得所述倒装芯片型发光器件的散热效率明显高于水平型的发光器件的散热效率。因此，即使施加高密度电流时，也可以将热有效地传导到所述第二基板，使得所述倒装芯片型发光器件适用于高输出光源。此外，对芯片级封装的需求增加，其中在芯片级封装中，将发光器件封装于单独壳体内的过程或类似的过程被省略，并且将发光器件本身用作封装件，以使所述发光器件小型化。具体地说，倒装芯片型发光器件的电极可实现类似于封装的接脚的功能，使得倒装芯片型发光器件也可以有效地应用于芯片级封装。
技术实现思路
技术问题本公开技术的示例性实施例提供了一种发光器件，其通过包括具有新结构的电极而具有更高的可靠性。本公开技术的示例性实施例提供了一种制造发光器件的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且所述发光结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上，并且所述第一接触电极和所述第二接触电极的每一者分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；第一电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第一接触电极；第二电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第二接触电极；以及绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面和所述发光结构的所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.26 KR 10-2014-0129019;2014.10.21 KR 10-2011.一种发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且所述发光结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上，并且所述第一接触电极和所述第二接触电极的每一者分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；第一电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第一接触电极；第二电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第二接触电极；以及绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面和所述发光结构的所述第一表面，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括金属粒子，以及所述第一电极和所述第二电极各自包括倾斜侧面，其中相对于所述第一电极和所述第二电极的垂直横截面的侧面，所述倾斜侧面的切向梯度是变化的。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述倾斜侧面包括所述切向梯度增加的区域和所述切向梯度减少的区域。3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者的水平横截面面积朝着远离所述发光结构的所述第一表面的方向逐渐减少。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极在所述绝缘部分的一个表面上暴露出。5.根据权利要求4所述的发光器件，其进一步包括：第一电极垫和第二电极垫，设置在所述绝缘部分的一个表面上且各自分别设置在所述第一电极和所述第二电极上。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极垫和所述第二电极垫的每一者的面积大于所述第一电极暴露在所述绝缘部分的所述一个表面上的面积和所述第二电极暴露在所述绝缘部分的所述一个表面上的面积。7.根据权利要求1所述的发光器件，其进一步包括：波长转换单元，其设置在所述发光结构的所述第二表面上。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括烧结的金属粒子，并且所述烧结的金属粒子包括所述金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述金属粒子包括银。10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述烧结的金属粒子包括范围从80wt％至98wt％的所述金属粒子。11.根据权利要求1所述的发光器件，其进一步包括：区域，在所述区域中通过部分地移除所述主动层和所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层部分地暴露出；第一绝缘层，其使所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此绝缘；以及第二绝缘层，其部分地覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极并且包括第一开口部分和第二开口部分，其中通过所述第一开口部分和所述第二开口部分使所述第一接触电极和所述第二接触电极各自暴露出，其中所述第一接触电极经由所述第一导电型半导体层暴露的区域与所述第一导电型半导体层欧姆接触，以及所述第一电极和所述第二电极各自经由所述第一开口部分和所述第二开口部分与所述第一接触电极和所述第二接触电极直接接触。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层暴露的所述区域包括多个孔。13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述发光结构包括至少一个台面，所述台面包括所述第二导电型半导体层和所述主动层，以及所述第一导电型半导体层暴露的所述区域设置在所述台面的周围。14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极各自分别与所述第一接触电极和所述第二接触电极直接接触。15.根据权利要求11所述的发光器件，其还包括：波长转换单元，设置在所述发光结构的所述第二表面上。16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述波长转换单元接触所述第一绝缘层。17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述波长转换单元还至少部分地覆盖所述第一导电型半导体层的侧面。18.一种发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且所述发光结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且各自与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；第一电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第一接触电极；第二电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第二接触电极；以及绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面以及所述发光结构的所述第一表面，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括范围为80wt％至98wt％的金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。19.一种制造发光器件的方法，其包括：在生长基板上形成发光结构，其中所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的主动层以及设置在所述主动层上的第二导电型半导体层；在所述发光结构上形成第一接触电极和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金彰渊，朴柱勇，孙成寿，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR