固态成像元件、制造方法以及电子设备技术

本公开涉及允许微透镜与防反射薄膜之间的界面中的成分扩散的固态成像装置、制造所述固态成像装置的方法以及电子设备。在相邻像素的所述微透镜之间形成透湿孔。所述透湿孔被防反射薄膜覆盖。所述防反射薄膜形成在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上。所述防反射薄膜的折射率高于所述微透镜的折射率。本公开可以应用于例如作为背照式固态成像装置的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像元件、制造方法以及电子设备
本公开涉及固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备，并且更具体地，涉及允许微透镜与防反射薄膜之间的界面中的成分扩散的固态成像装置、制造所述固态成像装置的方法以及电子设备。
技术介绍
作为紧凑型数字照相机和移动照相机的固态成像装置，已经开发了背照式固态成像装置(BSI)以提高精细像素的灵敏度和遮光特性(例如，参见专利文献1)。BSI可以用作用于拍摄尺寸为APS、35mm或类型1的图像的数字静态照相机的固态成像装置。然而，这样的数字静态照相机具有足够大的像素尺寸(例如，1.980μm或更大)，因此具有低成本效益。因此，推迟了BSI的引入。然而，即使这样的数字静态照相机近来也期望捕获高灵敏度、高清晰度的图像，并且正在考虑引入BSI。BSI可以具有比在前照式固态成像装置(FSI)中具有更大面积的光电二极管。此外，任何多层金属互连没有提供在入光侧上，因此，入射光可以有效地进入光电二极管。结果，提高了灵敏度特性。另一方面，由于每个光电二极管的面积大，并且在入光侧上提供任何多层金属互连，所以光电二极管捕获来自密封玻璃表面、红外截止滤光器(IRCF)、光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：各像素的微透镜；扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖；以及第一防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.01 JP 2014-2030011.一种固态成像装置，包括：各像素的微透镜；扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖；以及第一防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括滤色器，设置在所述微透镜下方，其中所述扩散孔形成在所述滤色器的凹陷部分中。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，还包括遮光部分，其设置在彼此相邻的所述像素的所述滤色器之间的部分下方。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括第二防反射薄膜，其设置在所述第一防反射薄膜上，其中所述无机薄膜是与所述第二防反射薄膜相同的薄膜。5.一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括：各像素的微透镜；扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：中敷领崇，北野良昭，西村雄二，板桥浩一，千叶亮，滝田阳介，石川充，神脇丰美，关勇一，下地诚也，大塚洋一，西孝文，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP