利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除相关申请的交叉引用本申请要求于2014年9月5日提交的美国临时专利申请第62/046500号和于2014年12月5日提交的题为“SemiconductorBondingwithCompliantResinandUtilizingHydrogenImplantationforTransfer-WaferRemoval”的美国非临时专利申请第14/562169号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文用于所有目的。
技术介绍
本申请涉及晶片接合。更具体地，但不限于，涉及接合半导体以产生光学器件。有时在硅集成电路上采用高级电子功能(例如，光子器件偏置控制、调制、放大、数据串行化和解串行化、成帧和路由)。其一个原因是用于硅集成电路的设计和制造的全球基础设施的存在，其使得能够以市场化成本生产具有非常先进的功能和性能的器件。由于其间接能带隙，硅不能用于光发射或光放大。化合物半导体(例如，磷化铟、砷化镓、以及相关的三元和四元材料)因为它们的直接能带隙已经用于光通信，特别是用于发光器件和光电二极管。然而，由于在这些材料中制造器件和电...
【技术保护点】
一种使用柔顺树脂将芯片接合至半导体的方法，所述方法包括：在转移基底中形成注入区，其中所述注入区形成在所述转移基底中的第一深度处；蚀刻所述转移基底的一部分以形成耸立部，其中：所述转移基底的经蚀刻的所述一部分被蚀刻至第二深度；相对于所述转移基底的表面，所述第二深度大于所述第一深度；以及所述耸立部的部分未被蚀刻至所述第二深度，使得所述耸立部包括所述注入区的一部分；将柔顺材料施加至所述转移基底；将芯片固定至所述柔顺材料，其中所述芯片被固定至所述耸立部上方的所述柔顺材料；去除所述柔顺材料的过量部分，其中：所述柔顺材料的所述过量部分包括不在所述耸立部与所述芯片之间的材料；去除所述柔顺材...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 US 62/046,500;2014.12.05 US 14/562,1691.一种使用柔顺树脂将芯片接合至半导体的方法，所述方法包括：在转移基底中形成注入区，其中所述注入区形成在所述转移基底中的第一深度处；蚀刻所述转移基底的一部分以形成耸立部，其中：所述转移基底的经蚀刻的所述一部分被蚀刻至第二深度；相对于所述转移基底的表面，所述第二深度大于所述第一深度；以及所述耸立部的部分未被蚀刻至所述第二深度，使得所述耸立部包括所述注入区的一部分；将柔顺材料施加至所述转移基底；将芯片固定至所述柔顺材料，其中所述芯片被固定至所述耸立部上方的所述柔顺材料；去除所述柔顺材料的过量部分，其中：所述柔顺材料的所述过量部分包括不在所述耸立部与所述芯片之间的材料；去除所述柔顺材料的所述过量部分留下所述柔顺材料的柱；以及所述柔顺材料的所述柱在所述耸立部与所述芯片之间；将所述芯片接合至目标晶片，其中在所述芯片被固定至所述柔顺材料的所述柱时执行将所述芯片接合至所述目标晶片；使所述转移基底在所述注入区处断裂，使得所述耸立部的剩余部分能够与所述转移基底分离；将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除，其中所述耸立部的所述剩余部分连接至所述柔顺材料的所述柱；将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除，其中在将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除之后，将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除；以及将所述柔顺材料的所述柱从所述芯片去除，其中在将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除之后，执行将所述柔顺材料的所述柱从所述芯片去除。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述柔顺材料中形成坑，其中：通过去除所述柔顺材料的一部分以形成所述坑来形成所述坑；所述坑形成在所述耸立部上方的所述柔顺材料中；以及所述芯片被固定至所述坑的表面。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：利用材料填充所述坑以保护所述芯片的侧面；以及在所述芯片固定至所述柔顺材料时去除所述芯片的一部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中用于保护所述芯片的侧面的所述材料是光致抗蚀剂或聚合物材料。5.根据权利要求1所述的方法，还包括将材料施加至所述芯片，其中：使用施加至所述芯片的所述材料以将所述芯片接合至所述目标晶片；以及施加至所述芯片的所述材料在所述芯片被固定至所述柔顺材料的情况下被施加。6.根据权利要求1所述的方法，其中：所述目标晶片包括硅；所述转移基底包括硅；以及所述芯片包括III-V族半导体材料。7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：达米安·兰贝特，约翰·施潘，斯蒂芬·克拉苏利克，
申请(专利权)人：斯考皮欧技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。