Semiconductor lasers have mirrors formed in gain chips. The mirror can be placed in the gain chip to provide a broadband reflector, thereby supporting multiple lasers using the gain chip. The mirror can also be placed in the gain chip to make the semiconductor laser more efficient or powerful by changing the optical path length of the gain of the semiconductor laser.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜相关申请的交叉引用本申请要求2016年2月8日提交的名称为“具有硅衬底的高速光发射机”的美国临时申请No.62/292,633、于2016年2月8日提交的名称为“用于连接半导体波导的步进光桥”的美国临时申请No.62/292,675和2016年2月8日提交的名称为“用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜”的美国临时申请No.62/292,636的优先权，其公开内容通过引用并入本文中用于所有目的。以下三个美国专利申请同时提交，并且这些申请的全部公开内容通过引用并入本申请中用于所有目的：2017年2月7日提交的名称为“具有硅衬底的高速光发射机”的申请15/426,823；2017年2月7日提交的名称为“用于连接半导体波导的步进光桥”的申请15/426,366；和2017年2月7日提交的名称为“用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜”的申请15/426,375。
技术介绍
硅集成电路(IC)已经主导了电子技术的发展，并且多年来已经开发出许多基于硅处理的技术。它们的不断改进导致纳米级特征尺寸，纳米级特征尺寸对于制造金属氧化物半导...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器，包括：芯片，其中：所述芯片由半导体材料制成；所述半导体材料具有直接带隙；所述芯片包括第一边缘；所述芯片包括第二边缘；以及所述第一边缘与所述第二边缘相对；所述芯片中的壁，其中所述壁位于所述第一边缘和所述第二边缘之间；和设置在所述壁上的涂层，其中所述涂层形成所述芯片中的反射镜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.08 US 62/292,633;2016.02.08 US 62/292,675;1.一种半导体激光器，包括：芯片，其中：所述芯片由半导体材料制成；所述半导体材料具有直接带隙；所述芯片包括第一边缘；所述芯片包括第二边缘；以及所述第一边缘与所述第二边缘相对；所述芯片中的壁，其中所述壁位于所述第一边缘和所述第二边缘之间；和设置在所述壁上的涂层，其中所述涂层形成所述芯片中的反射镜。2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括：平台，其中：所述平台包括硅；所述平台包括波导；以及所述芯片被粘合到所述平台上；和形成在所述芯片中的脊，其中：所述脊被配置为引导所述芯片中的光；所述脊包括第一端和第二端；所述第一端与所述第二端相对；所述第一端终止于所述反射镜；以及所述第二端与所述波导光学耦合。3.如权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，还包括所述平台中的反射器，所述反射镜和所述反射器形成谐振腔。4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括两个或更多个形成于所述芯片中的脊，其中：所述两个或更多个脊中的每个脊终止于所述反射镜；以及所述芯片是两个或更多个激光器的增益介质。5.如权利要求1所述的半导体激光器，其中所述直接带隙形成于III-V材料中。6.如权利要求1所述的半导体激光器，其中：所述涂层包括介电层和金属；以及所述介电层位于所述壁和所述金属之间。7.如权利要求6所述的半导体激光器，其中所述介电层的厚度为25nm至100nm。8.如权利要求1所述的半导体激光器，其中：所述壁是第一壁；所述芯片包括第二壁；所述第二壁与所述第一壁相对；所述第二壁和所述第一壁限定所述芯片中的凹陷区域；以及所述凹陷区域位于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：达米安·兰贝特，
申请(专利权)人：斯考皮欧技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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