【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于工件的静电夹持的系统和方法相关申请的引用本申请要求于2014年9月19日递交的名称为“SYSTEMANDMETHODFORELECTROSTATICCLAMPINGOFWORKPIECES”的美国临时申请No.62/052,834的优先权,其内容通过引用全部合并于此。
本专利技术总体涉及静电夹持系统,更具体地,涉及快速释放静电夹持的工件的系统和方法。
技术介绍
静电夹具或卡盘(ESC)通常在半导体工业中用于在基于等离子体或基于真空的半导体工艺(例如离子注入、蚀刻、化学气相沉积(CVD)等)期间夹持工件或衬底。已证明ESC的夹持能力以及工件温度控制在处理半导体衬底或晶片(例如硅晶片)方面是非常有价值的。例如,典型的ESC包括位于导电电极上方的电介质层,其中半导体晶片被放置在ESC的表面上(例如,晶片被放置在电介质层的表面上)。在半导体处理(例如,离子注入)期间,通常在晶片和电极之间施加夹持电压,其中通过静电力将晶片夹持抵靠ESC的表面。大多数静电夹具在一个时间或另一个时间表现出“粘附”行为,由此尽管ESC未被供电,工件仍保持抵靠ESC的表面。工件粘附到ESC的表 ...
【技术保护点】
一种用于将工件夹持到静电夹具的方法,所述方法包括:将第一工件放置在所述静电夹具的表面上;将第一组夹持参数施加到所述静电夹具,其中用第一夹持力将所述第一工件夹持到所述静电夹具的表面;确定所述工件到所述静电夹具的夹持程度;停止将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具;在停止将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具之后,将第二组夹持参数施加到所述静电夹具;当所述工件到所述静电夹具的夹持程度小于或近似等于阈值夹持值时,在将所述第二组夹持参数施加到所述静电夹具的同时,从所述静电夹具的表面移除所述工件;以及在从所述静电夹具的所述表面移除所述工件之后,停止到所述静电夹具的所述第二组夹持参数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.19 US 62/052,8341.一种用于将工件夹持到静电夹具的方法,所述方法包括:将第一工件放置在所述静电夹具的表面上;将第一组夹持参数施加到所述静电夹具,其中用第一夹持力将所述第一工件夹持到所述静电夹具的表面;确定所述工件到所述静电夹具的夹持程度;停止将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具;在停止将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具之后,将第二组夹持参数施加到所述静电夹具;当所述工件到所述静电夹具的夹持程度小于或近似等于阈值夹持值时,在将所述第二组夹持参数施加到所述静电夹具的同时,从所述静电夹具的表面移除所述工件;以及在从所述静电夹具的所述表面移除所述工件之后,停止到所述静电夹具的所述第二组夹持参数。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:将第二工件放置在所述静电夹具的表面上;以及将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具,其中用所述第一夹持力将所述第二工件夹持到所述静电夹具的表面。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一组夹持参数包括第一频率的第一AC电压,所述第二组夹持参数包括第二频率的第二AC电压,所述第一AC电压大于所述第二AC电压,所述第一频率小于所述第二频率。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一AC电压比所述第二AC电压大大约一个数量级,所述第一频率比所述第二频率小大约一个数量级。5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一AC电压大约为约600-1200伏特,所述第一频率大约为约1-5赫兹,所述第二AC电压大约为约50-200伏特,第二频率大约为约80-120赫兹。6.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述第一组夹持参数施加到所述静电夹具和将所述第二组夹持参数施加到所述静电夹具的同时,确定所述工件到所述静电夹具的夹持程度。7.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述静电夹具和所述工件之间提供背面气体,其中所述背面气体通常在将所述第二组夹持参数施加到所述静电夹具的同时降低所述工件到所述静电夹具的夹持程度。8.根据权利要求1所述的方法,其中基于工艺配方停止到所述静电夹具的所述第一组夹持参数。9.一种用于静电夹持工件的系统;所述系统包括:静电夹具;电源,可操作地耦接到所述静电夹具;以及控制器,被配置为选择性地将第一组夹持参数和第二组夹持参数施加到所述静电夹具,其中分别用第一夹持力和第二夹持力将所述工件夹持到所述静电夹具的表面,所述控制器还被配置为确定所述工件到所述静电夹具的夹持程度,其中所述第一组和第二组夹持参数的选择性施加至少部分地基于所述工件...
【专利技术属性】
技术研发人员:爱德华·麦金太尔,坦·源,
申请(专利权)人:艾克塞利斯科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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