单晶硅晶圆的热处理法制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶硅晶圆的热处理法
本专利技术涉及一种单晶硅晶圆的热处理方法。
技术介绍
现有技术已知为了赋予单晶硅晶圆吸除能力，进行有快速热退火(RapidThermalAnnealing,RTA)处理。如此的RTA处理，被广泛地应用于在全平面为具有中性(Neutral：以下亦称为N)区域的单晶硅晶圆，所谓该N区域指较少关于被称为晶格空位(vacancy：以下亦标记为Va)的晶体缺陷的空孔及被称做间隙硅(interstitialsilicon：以下亦标记为I-Si)的间隙型的晶体缺陷之过多或不足的状况。更具体而言，该RTA处理应用于全平面含有以N区域而言I-Si较多的Ni区域、Va较多的Nv区域及含有氧化引致迭差区域(oxidation-inducedstackingfault：OSF)区域的Nv区域等的晶圆。作为如此的RTA处理的例子而言，专利文献1中记载有的方法，透过将RTA处理予以在含有NH3的氛围下进行，在晶圆表面形成氮化膜而供给晶圆空穴并赋予吸除(gettering)能力。但是，若以如此的方法进行全平面为Nv区域的单晶硅晶圆、或是全平面是含有OSF区域的Nv区域的单...
【技术保护点】
一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施以快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)处理，其特征在于：将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有氧化引致迭差区域(oxidation‑induced stacking fault,OSF)的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.26 JP 2014-2383081.一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施以快速热退火(RapidThermalAnnealing,RTA)处理，其特征在于：将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有氧化引致迭差区域(oxidation-inducedstackingfault,OSF)的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。2.如权利要求1所述的单...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲伟峰，田原史夫，樱田昌弘，高桥修治，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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