旋转型可变电阻器及其制造方法技术

旋转型可变电阻器具备：绝缘基板；电阻体图案以及集电体图案，被设置在绝缘基板上；旋转件，被能旋转地安装于绝缘基板；和滑动件，被安装于旋转件，与电阻体图案以及集电体图案滑动接触，以将电阻体图案和集电体图案导通。在将作为电阻体图案的可变电阻有效的最大尺寸设为Z[mm]，将电气直线度设为L[％]时，满足Z≤4.0并且Z×L＜10。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】旋转型可变电阻器及其制造方法
本专利技术涉及旋转型可变电阻器及其制造方法。
技术介绍
以往，作为旋转型可变电阻器，存在日本特开平2-170403号公报(专利文献1)中记载的旋转型可变电阻器。该旋转型可变电阻器具有：树脂薄膜；被设置在树脂薄膜上的电阻体图案以及集电体图案；和与电阻体图案以及集电体图案滑动接触的滑动件。电阻体图案以及集电体图案被印刷在树脂薄膜上。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平2-170403号公报
技术实现思路
-专利技术要解决的课题-但是，在所述现有的旋转型可变电阻器中，若进行小型化，则电气直线度(直线性)可能恶化。研究该理由，由于通过进行小型化导致电阻体图案的尺寸变小，因此电阻体图案的膜厚的偏差的影响变大，电气直线度恶化。特别地，已知若通过印刷来形成电阻体图案，则电气直线度的恶化变得显著。因此，本专利技术的课题在于，提供一种能够实现小型化和高精度化的兼得的旋转型可变电阻器及其制造方法。-解决课题的手段-本专利技术的旋转型可变电阻器具备：绝缘基板；电阻体图案以及集电体图案，被设置在所述绝缘基板上，且被相互隔离配置；旋转件，被能旋转地安装于所述绝缘基板；和滑动件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种旋转型可变电阻器，具备：绝缘基板；电阻体图案以及集电体图案，被设置在所述绝缘基板上，且被相互隔离配置；旋转件，被能旋转地安装于所述绝缘基板；和滑动件，被安装于所述旋转件以使得能够与所述旋转件共同旋转，与所述电阻体图案以及所述集电体图案滑动接触，以将所述电阻体图案和所述集电体图案导通，在将作为所述电阻体图案的可变电阻有效的最大尺寸设为Z，其中单位为mm，将电气直线度设为L[％]时，满足Z≤4.0并且Z×L＜10。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.31 JP 2014-223466;2015.03.31 JP 2015-073201.一种旋转型可变电阻器，具备：绝缘基板；电阻体图案以及集电体图案，被设置在所述绝缘基板上，且被相互隔离配置；旋转件，被能旋转地安装于所述绝缘基板；和滑动件，被安装于所述旋转件以使得能够与所述旋转件共同旋转，与所述电阻体图案以及所述集电体图案滑动接触，以将所述电阻体图案和所述集电体图案导通，在将作为所述电阻体图案的可变电阻有效的最大尺寸设为Z，其中单位为mm，将电气直线度设为L[％]时，满足Z≤4.0并且Z×L＜10。2.根据权利要求1所述的旋转型可变电阻器，其中，所述电阻体图案以及所述集电体图案通过在所述绝缘基板上进行丝网印刷而被构成。3.一种旋转型可变电阻器，具备：绝缘基板；电阻体图案以及集电体图案，被设置在所述绝缘基板上，且被相互隔离配置；旋转件，被能旋转地安装于所述绝缘基板；和滑动件，被安装于所述旋转件以使得能够与所述旋转件共同旋转，与所述电阻体图案以及所述集电体图案滑动接触，以将所述电阻体图案和所述集电体图案导通，所述电阻体图案通过在所述绝缘基板上在第1方向上进行丝网印刷而被构成，在与所述第1方向平行且通过所述旋转件的旋转轴的第1直线上通过所述电阻体图案中与所述第1方向正交的方向的长度最大的一侧的宽度的中点并且与所述第1直线正交的剖面，在将中央部的膜厚设为t1，将最大膜厚设为t2时，满足1.0≤(t2/t1)＜1.2。4.根据权利要求3所述的旋转型可变电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：森上诚士，岸下浩幸，武田健，中尾治，北川知世，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP