【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微光刻投射曝光装置的光学配置相关申请的交叉引用本专利申请要求2014年9月22日提交的德国专利申请102014218969.1的优先权。此较早申请的全部公开内容通过参考并入本文。
本专利技术关于可配置为用于例如极紫外光谱范围(EUV)的波长的微光刻投射曝光装置的光学配置。所述光学配置可包含于照明系统或此装置的镜头中。
技术介绍
微光刻投射曝光装置用于例如将布置在掩模上的结构转印至光敏层(例如光致抗蚀剂)上。光敏层通常位于晶片或一些其他基板上。投射曝光装置一般包含光源、照明系统(其调整由光源所产生的投射光并将其引导至掩模)、及镜头(lens)(其将由投射光所照明的掩模成像至光敏层)。投射光的波长越短,借助于投射曝光装置可在光敏层上产生的结构越小。最新一代的投射曝光装置使用中心波长约为13.5纳米的投射光,其在极紫外光范围(EUV)。这类装置通常称作EUV投射曝光装置。然而,没有对此短波长具有足够高透射率的光学材料。因此,在EUV投射曝光装置中,一般用于较长波长的透镜元件和其他折射光学元件将由反射镜所取代,因此掩模包含反射结构的图案。反射镜包含具有反射区域的反射镜基板 ...
【技术保护点】
一种微光刻投射曝光装置(10)的光学配置,其中该光学配置(40)包含:(a)反射镜元件(M6),具有反射镜基板(34)和形成于该反射镜基板(34)的表面上的反射区域;(b)至少一个致动器(46),配置为以至少一个自由度移动该反射镜元件(M6);以及(c)安装元件(42),作用于该反射镜基板(34),其中该安装元件(42)至少约在平衡位置独自保持该反射镜元件(M6),使得该至少一个致动器(46)在该平衡位置至少约为不受力;以及其中在该反射镜元件(M6)的重心(S)作用的重力(G)的有效线(WG)不与该反射区域(36)相交。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.22 DE 102014218969.11.一种微光刻投射曝光装置(10)的光学配置,其中该光学配置(40)包含:(a)反射镜元件(M6),具有反射镜基板(34)和形成于该反射镜基板(34)的表面上的反射区域;(b)至少一个致动器(46),配置为以至少一个自由度移动该反射镜元件(M6);以及(c)安装元件(42),作用于该反射镜基板(34),其中该安装元件(42)至少约在平衡位置独自保持该反射镜元件(M6),使得该至少一个致动器(46)在该平衡位置至少约为不受力;以及其中在该反射镜元件(M6)的重心(S)作用的重力(G)的有效线(WG)不与该反射区域(36)相交。2.如权利要求1所述的光学配置,其中该反射镜基板(34)至少实质具有板的形状,且其中该重力(G)的有效线(WG)位于与该反射区域(36)相距大于该板的最小厚度(D)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:J普罗赫诺,D谢弗,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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