基于纵向结构的发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种基于纵向结构的发光二极管(10)，包括：Si衬底(11)；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构(13)，设置于所述Si衬底(11)表面的中心位置处；正电极(15)，设置于所述PiN台阶结构(13)的上表面；负电极(17)，设置于所述Si衬底(11)的上表面并位于PiN台阶结构(13)两侧的位置处，以形成纵向结构的所述发光二极管(10)。本发明专利技术纵向结构的发光二极管，利用Si衬底与Ge外延层界面特性好的优势，利用N型Si/张应变Ge/P型Ge纵向结构，极大地提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
基于纵向结构的发光二极管
本专利技术属于光通信
，特别涉及一种基于纵向结构的发光二极管。
技术介绍
光通信技术是一种以光波为传输媒质的通信方式。光波和无线电波同属电磁波，但光波的频率比无线电波的频率高，波长比无线电波的波长短。因此，具有传输频带宽、通信容量大和抗电磁干扰能力强等优点。常用的光通信有：大气激光通信、光纤通信、蓝绿光通信、红外线通信、紫外线通信等。对于红外通信，是利用红外线(波长300μm～0.76μm)传输信息的通信方式。可传输语言、文字、数据、图像等信息，适用于沿海岛屿间、近距离遥控、飞行器内部通信等。其通信容量大、保密性强、抗电磁干扰性能好，设备结构简单，体积小、重量轻、价格低。目前，发光效率是衡量红外LED的一个重要因素，采用何种LED结构来提高发光效率就变得极其重要。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于纵向结构的发光二极管10，其中，包括：Si衬底11；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构13，设置于所述Si衬底11表面的中心位置处；正电极15，设置于所述PiN台阶结构13的上表面；负电极17，设置于所述Si衬底11的上表面并位于P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于纵向结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：Si衬底(11)；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构(13)，设置于所述Si衬底(11)表面的中心位置处；正电极(15)，设置于所述PiN台阶结构(13)的上表面；负电极(17)，设置于所述Si衬底(11)的上表面并位于PiN台阶结构(13)两侧的位置处，以形成纵向结构的所述发光二极管(10)。

【技术特征摘要】
1.一种基于纵向结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：Si衬底(11)；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构(13)，设置于所述Si衬底(11)表面的中心位置处；正电极(15)，设置于所述PiN台阶结构(13)的上表面；负电极(17)，设置于所述Si衬底(11)的上表面并位于PiN台阶结构(13)两侧的位置处，以形成纵向结构的所述发光二极管(10)。2.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述Si衬底(11)为N型单晶Si材料。3.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述PiN台阶结构(13)依次包括N型Si外延层、张应变Ge层、P型Ge层，且所述N型Si外延层、所述张应变Ge层及所述P型Ge层形成PiN结构。4.根据权利要求3所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述N型Si外延层的厚度为120～200nm，且其掺杂浓度为5×1019～1×1020cm-3。5.根据权利要求3所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述张应变Ge层包括晶化Ge层和Ge外延层。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晶晶，
申请(专利权)人：厦门科锐捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35