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本发明涉及一种基于纵向结构的发光二极管(10)，包括：Si衬底(11)；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构(13)，设置于所述Si衬底(11)表面的中心位置处；正电极(15)，设置于所述PiN台阶结构(13)的上表面；负电极(17)，设...
该专利属于厦门科锐捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门科锐捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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