基于横向结构发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种基于横向结构发光二极管，包括：SOI衬底；Ge外延层，设置于SOI衬底的上表面；GeSn层，设置于Ge外延层的上表面的中间位置处；N型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层一侧；P型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层另一侧；P型Ge区域、GeSn层和N型Ge区域形成脊形横向的PiN结构：正电极，设置于P型Ge区域的上表面；负电极，设置于N型Ge区域的上表面，以形成基于横向结构发光二极管。本发明专利技术提供的基于横向结构发光二极管，利用Ge外延层位错密度低的优点，利用p

Light emitting diode based on lateral structure

The invention relates to a horizontal structure of light emitting diode, which is based on a SOI substrate; Ge epitaxial layer formed on the surface of SOI substrate; GeSn layer, is arranged on the upper surface of the Ge epitaxial layer in the middle position; N Ge region, formed by Ge doped epitaxial layer, GeSn layer is located in the side of P Ge; area formed by Ge doped epitaxial layer, in GeSn layer on the other side; P Ge region, GeSn layer and N Ge formed PiN structure transverse ridge: positive electrode formed on the surface of P in Ge region; the negative electrode, the upper surface is set in the N Ge area, in order to form based on the transverse structure of light emitting diode. The invention provides a light-emitting diode based on a transverse structure, which utilizes the advantage of Ge epitaxial layer with low error density and uses p

【技术实现步骤摘要】
基于横向结构发光二极管
本专利技术属半导体器件制备
，特别涉及一种基于横向结构发光二极管。
技术介绍
近年来，随着光通信技术的发展，高速光纤通信系统对半导体发光二极管(Light-emittingDiode,简称LED)要求也越来越高，集成化的发展趋势要求半导体LED与其他光电器件集成。如果能将它们集成在一个芯片上，信息传输速度，储存和处理能力将得到大大提高，这将使信息技术发展到一个全新的阶段。因此，对发光器件的研究，已成为当前领域内研究的热点和重点。传统的纵向PiN结构发光器件不适于波导兼容。若考虑光互联中发光器件与波导的集成，横向PiN发光器件的i区不仅是器件的发光区域，也是光传输的波导区。因此，设计制造横向波导型LED将是未来光电集成的重要方向之一。然而，目前横向LED由于制备工艺等限制，其发光效率仍然是一个限制LED进一步发展的重要原因。因此如何提高发光效率就变得极其重要。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于横向结构发光二极管1，包括：SOI衬底11；Ge外延层12，设置于SOI衬底11的上表面；GeSn层13，设置于Ge外延层12的上表面的中间位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于横向结构发光二极管(1)，其特征在于，包括：SOI衬底(11)；Ge外延层(12)，设置于所述SOI衬底(11)的上表面；GeSn层(13)，设置于所述Ge外延层(12)的上表面的中间位置处；N型Ge区域(14)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)一侧；P型Ge区域(15)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)另一侧；所述P型Ge区域(15)、所述GeSn层(13)和所述N型Ge区域(14)形成脊形横向的PiN结构：正电极(16)，设置于P型Ge区域(15)的上表面；负电极(17)，设置于N型Ge区域(14)的上表面，以形成所述基于横向...

【技术特征摘要】
1.一种基于横向结构发光二极管(1)，其特征在于，包括：SOI衬底(11)；Ge外延层(12)，设置于所述SOI衬底(11)的上表面；GeSn层(13)，设置于所述Ge外延层(12)的上表面的中间位置处；N型Ge区域(14)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)一侧；P型Ge区域(15)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)另一侧；所述P型Ge区域(15)、所述GeSn层(13)和所述N型Ge区域(14)形成脊形横向的PiN结构：正电极(16)，设置于P型Ge区域(15)的上表面；负电极(17)，设置于N型Ge区域(14)的上表面，以形成所述基于横向结构发光二极管(1)。2.根据权利要求1所述的发光二极管(1)，其特征在于，所述Ge外延层(12)包括Ge籽晶层和Ge主体层；将所述Ge籽晶层和所述Ge主体层经过晶化处理后形成所述Ge外延层(12)。3.根据权利要求2所述的发光二极管(1)，其特征在于，所述晶化处理包括如下步骤：将包括所述SOI衬底(11)、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；采用LRC工艺晶化所述整个衬底材料；其中LRC工艺激光波长为...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晶晶，
申请(专利权)人：厦门科锐捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35