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本发明涉及一种基于横向结构发光二极管，包括：SOI衬底；Ge外延层，设置于SOI衬底的上表面；GeSn层，设置于Ge外延层的上表面的中间位置处；N型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层一侧；P型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于...
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