一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片技术

本发明专利技术涉及一种硅锭和多晶硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅：硼：磷：镓以摩尔比为1：(1.1×10

【技术实现步骤摘要】
一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片
本专利技术要求申请人“扬州荣德新能源科技有限公司”于2016年8月31日提交的专利技术名称为“一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片”，申请号为“201610799857.3”的专利技术专利的优先权。本专利技术涉及硅锭和多晶硅片的制备方法，更具体而言，涉及一种电阻率更均匀、少子寿命更高的硅锭和多晶硅片的制备方法，以及由所述方法制备的硅锭和多晶硅片。
技术介绍
近年来随着不可再生能源的日益枯竭，太阳能电池得到了快速的发展。由于铸造多晶硅的制备工艺相对简单，成本远低于单晶硅，多晶硅逐步取代直拉单晶硅在太阳能电池材料市场的主导地位，成为行业内最主要的光伏材料。在半导体中，电子和空穴作为载流子。数目较多的载流子称为多数载流子，在N型半导体中多数载流子是电子，而在P型半导体中多数载流子是空穴。数目较少的载流子称为少数载流子，简称少子，在N型半导体中少数载流子是空穴，而在P型半导体中少数载流子是电子。少数载流子的平均生存时间被称为少数载流子的寿命，简称少子寿命。少子寿命与太阳能电池的效率密切相关。目前市场上的多晶硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅锭的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤1：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅：硼：磷：镓的摩尔比为1：(1.1×10

【技术特征摘要】
2016.08.31 CN 20161079985731.一种硅锭的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤1：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅：硼：磷：镓的摩尔比为1：(1.1×10-5至1.3×10-5)：(6.9×10-6至8.3×10-6)：(4.2×10-7至5.0×10-7)的比例混合；步骤2：将混合后的物料放置在具有下隔热笼的多晶炉中，在1450-1550℃下加热10-30小时使物料融化；步骤3：打开下隔热笼，在1400-1440℃下使混合物料定向凝固；步骤4：在1350-1390℃下退火2-4小时；步骤5：以0.1-10℃/min的速度冷却降温以得到从底部到顶部电阻率分布一致的硅锭。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤1中，所述硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓的比例为以摩尔比计硅：硼：磷：镓＝1：(1.15×10-5至1.25×10-5)：(7.3×10-6至7.9×10-6)：(4.4×10-7...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐骏，袁聪，常传波，杨振帮，
申请(专利权)人：扬州荣德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32