复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件技术

公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO

【技术实现步骤摘要】
复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件本申请是申请日为2012年10月22日、中国申请号为201210405260.8、专利技术名称为“复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件”的专利技术申请的分案申请。
本公开内容涉及半导体纳米晶体-聚合物复合物、制备其的方法、以及包括其的复合膜和光电子器件。
技术介绍
半导体纳米晶体(也称作量子点)是具有纳米尺寸和结晶结构的半导体材料，且包括数百至数千个原子。由于半导体纳米晶体非常小，它们具有大的每单位体积的表面积，且还具有量子限制效应。因此，它们具有与相应的块状半导体(bulksemiconductor)材料的固有特性不同的独特的物理化学性质。特别地，由于纳米晶体的光电子学性质可通过调节它们的尺寸而控制，半导体纳米晶体正被积极地研究和应用于显示器和生物技术应用。通常，当半导体纳米晶体应用于显示器的元件等时，有机硅(silicone)聚合物可用作用于分散半导体纳米晶体的基体树脂。然而，由于有机硅树脂具有不足的与存在于半导体纳米晶体的表面中的有机配体的相容性，半导体纳米晶体可聚集。在这种情况下，存在于半导体纳米晶体的表面中的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体纳米晶体‑聚合物复合物，包括：半导体纳米晶体；和聚合物，其具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO

【技术特征摘要】
2011.10.21 KR 10-2011-01083341.半导体纳米晶体-聚合物复合物，包括：半导体纳米晶体；和聚合物，其具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(-COO-)和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。2.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述半导体纳米晶体选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及其组合。3.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物以1～90摩尔％的量包括含有羧酸根阴离子基团的结构单元。4.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中以基于100重量份的所述半导体纳米晶体的50～10,000重量份的量包括所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物。5.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物为包括亚烷基结构单元和由以下化学式1表示的结构单元的聚合物：[化学式1]其中，在化学式1中，R1为取代或未取代的C2～C20直链或支链亚烷基，R2为氢或甲基，和R3为单键；取代或未取代的C1～C50亚烷基；取代或未取代的C2～C50亚烯基；其中至少一个亚甲基(-CH2-)被如下代替的C2～C50亚烷基：磺酰基基团(-SO2-)、羰基基团(CO)、醚基团(-O-)、硫醚基团(-S-)、亚砜基团(-SO-)、酯基团(-C(＝O)O-)、其中R为氢或C1～C10烷基的酰胺基团-C(＝O)NR-、其中R为氢或C1～C10烷基的-NR-基团、或其组合；或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被如下代替的C3～C50亚烯基：磺酰基基团(-SO2-)、羰基基团(CO)、醚基团(-O-)、硫醚基团(-S-)、亚砜基团(-SO-)、酯基团(-...

【专利技术属性】
技术研发人员：田信爱，康玄雅，张银珠，权秀暻，章效淑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR