【技术实现步骤摘要】
一种III-V族半导体MOSHEMT器件
本技术涉及半导体器件
,具体涉及一种III-V族半导体MOSHEMT器件。
技术介绍
目前半导体工业的主流是硅技术,随着半导体技术最小尺寸发展到纳米尺度,硅集成电路技术日益逼近其理论和技术的双重极限。而III-V族半导体材料相比硅材料具有更高的电子迁移率(6-60倍)和在低电场和强场下具有更加优异的电子输运性能等特性,因此,III-V族半导体材料将是新一代超高频低功耗集成电子系统的必然选择。然而,传统的GaAsHEMT的沟道二维电子气浓度和电子迁移率,受材料结构的影响无法做到使得导电沟道电子迁移率与二维电子气浓度均很大,限制了GaAsHEMT器件在微波通信中的发展。需要在III-V族半导体上采用新的器件结构,以充分发挥III-V族半导体材料的特性,增强沟道中二维电子气浓度与电子迁移率。由于InP衬底的制造成本较高,材质较脆,不利于的推广,所以利用在GaAs衬底采用新的器件结构,使得GaAsHEMT器件具有很强的实用性与利用价值。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有HEM器件导电沟道电子迁移率与二维电子气浓度无法同时做到更大的问题,提供一种III-V族半导体MOSHEMT器件。为解决上述问题,本技术是通过以下技术方案实现的:一种III-V族半导体MOSHEMT器件,包括单晶衬底、变In组分InxAl1-xAs缓冲层、In0.52Al0.48As缓冲层、第一层In0.7Ga0.3As沟道层、第二层In0.6Ga0.4As沟道层、第三层In0.5Ga0.5As沟道层、In0.52Al0.48As势垒层、窄带隙欧姆 ...
【技术保护点】
一种III‑V族半导体MOSHEMT器件,其特征是,包括单晶衬底(101)、变In组分InxAl1‑xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As势垒层(109)、窄带隙欧姆接触层(110)、源漏金属(111)、栅介质(112)和栅金属(113);单晶衬底(101)、变In组分InxAl1‑xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As势垒层(109)和窄带隙欧姆接触层(110)自下而上依次叠放;窄带隙欧姆接触层(110)的中间部分开设有有源区;源漏金属(111)设置在窄带隙欧姆接触层(110),源漏金属(111)的中间部分开设有栅槽;栅介质(112)填充在有源区和栅槽中;栅金属(113)呈T形,其下 ...
【技术特征摘要】
1.一种III-V族半导体MOSHEMT器件,其特征是,包括单晶衬底(101)、变In组分InxAl1-xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As势垒层(109)、窄带隙欧姆接触层(110)、源漏金属(111)、栅介质(112)和栅金属(113);单晶衬底(101)、变In组分InxAl1-xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As...
【专利技术属性】
技术研发人员:李海鸥,马磊,李思敏,首照宇,李琦,王盛凯,陈永和,张法碧,肖功利,傅涛,李跃,常虎东,孙兵,刘洪刚,
申请(专利权)人:桂林电子科技大学,
类型:新型
国别省市:广西,45
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