基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法技术

本发明专利技术提供了基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在Si衬底上生长SiC层；在所述SiC层上生长GaN HEMT器件；在所述GaN HEMT器件上涂抹光刻胶保护层，并以预设温度烘烤预设时间，在所述光刻胶保护层上采用粘附剂黏贴载片；采用湿法或干法方式对所述GaN HEMT器件背面的Si衬底进行腐蚀移除；在移除Si衬底的SiC层上进行背面通孔工艺，使得GaN HEMT器件正面接地区域与反面连通；在所述GaN HEMT器件背面即SiC层面上，沉积金属Ti或Au；采用加热以及有机或无机溶液湿法腐蚀光刻胶保护层和载片、粘附剂，进而提高了器件的性能。

Process method for SiC substrate GaN HEMT based on Si substrate epitaxy

The present invention provides a process method of Si SiC based GaN epitaxial substrate based on HEMT, is characterized by comprising the following steps: the growth of SiC layer on the Si substrate; the growth of GaN HEMT device on the SiC layer; applying photoresist protective layer on the GaN HEMT devices, and to preset the baking temperature the preset time, the photoresist protective layer by adhesive adhesive films; Si substrate using wet or dry methods on the GaN HEMT device on the back of the corrosion were removed; back through hole technology in the SiC layer of the Si substrate is removed, the GaN HEMT positive and negative grounding device connected region; in the GaN HEMT devices back SiC level, the deposition of metal Ti or Au; the use of heating and organic or inorganic solution wet etching of photoresist protective layer and slide, adhesion agent, and improve the performance of device.

【技术实现步骤摘要】
基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法
本专利技术涉及化合物半导体制造
，尤其涉及基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法。
技术介绍
GaNHEMT器件作为第三代化合物半导体的代表器件，以其高电子迁移率、高击穿电压、高电流密度、高可靠性，广泛应用于微波功率放大领域，是现代军民通信系统、航空航天的首选器件。GaNHEMT器件在高频、大功率应用层面，需要输出高的电流密度，而SiC材料的晶格常数与GaN材料的晶格常数接近，因此一般在SiC衬底上外延生长高质量的GaNHEMT异质结结构，具备较大的电流密度，同时SiC材料的热导率较高，能够保证大功率散热的要求，因此SiC基GaNHEMT器件广泛应用于微波功率放大。为了提高SiC基GaNHEMT器件在高频、高功率应用时性能，提高基底散热能力、降低寄生效应，常采用的方法：在厚度约为500um的SiC衬底上外延生长GaNHEMT结构，然后对其正面进行工艺制备。在正面工艺完成后，使用粘附剂和同尺寸玻璃等材料作为载片把正面保护，然后在进行背面的SiC研磨，研磨至200um以下，再进行背孔工艺。因为SiC材料较硬，研磨速率较慢，本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在Si衬底上生长SiC层；在所述SiC层上生长GaN HEMT器件；在所述GaN HEMT器件上涂抹光刻胶保护层，并以预设温度烘烤预设时间，在所述光刻胶保护层上采用粘附剂黏贴载片；采用湿法或干法方式对所述GaN HEMT器件背面的Si衬底进行腐蚀移除；在移除Si衬底的SiC层上进行背面通孔工艺，使得GaN HEMT器件正面接地区域与反面连通；在所述GaN HEMT器件背面即SiC层面上，沉积金属Ti或Au；采用加热以及有机或无机溶液湿法腐蚀光刻胶保护层和载片、粘附剂。

【技术特征摘要】
1.基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在Si衬底上生长SiC层；在所述SiC层上生长GaNHEMT器件；在所述GaNHEMT器件上涂抹光刻胶保护层，并以预设温度烘烤预设时间，在所述光刻胶保护层上采用粘附剂黏贴载片；采用湿法或干法方式对所述GaNHEMT器件背面的Si衬底进行腐蚀移除；在移除Si衬底的SiC层上进行背面通孔工艺，使得GaNHEMT器件正面接地区域与反面连通；在所述GaNHEMT器件背面即SiC层面上，沉积金属Ti或Au；采用加热以及有机或无机溶液湿法腐蚀光刻胶保护层和载片、粘附剂。2.根据权利要求1所述的基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法，其特征在于，所述Si衬底的厚度具体为200-600μm，Si衬底的阻值为5000Ω.mm，掺杂类型为N型或P型，Si衬底的生长晶向为001方向或111方向。3.根据权利要求1所述的基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法，其特征在于，在Si衬底上生长SiC层，具体为：在Si衬底上采用MOCVD,PECVD,ICPCVD中任一种方式生长SiC层。4.根据权利要求1所述的基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法，其特征在于，所述SiC层具体为单晶或多晶，厚度为1-200μm。5.根据权利要求1所述的基于Si衬底外延SiC基GaNHEMT的工艺方法，其特征在于，在所述SiC层上生长GaNHEMT器件，具体为：在所述SiC层上采用MOCVD,MBE,HVPE中任一种方式生长GaNHEM...

【专利技术属性】
技术研发人员：林书勋，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51