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本发明提供了基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在Si衬底上生长SiC层；在所述SiC层上生长GaN HEMT器件；在所述GaN HEMT器件上涂抹光刻胶保护层，并以预设温度烘烤预设时间，在所述光刻...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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