阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。制造阵列基板的方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案，能够降低了制造成本。此外，有机材料图案层的引入增大了像素电极与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。

Array substrate and manufacturing method thereof

The present invention provides an array substrate and a method of manufacturing an array substrate. A method of manufacturing an array substrate including: a black matrix and organic insulation pattern, forming a substrate on which a thin film transistor in the form, using the same mask to form a black matrix and organic material pattern, can reduce the manufacturing cost. In addition, the introduction of organic material pattern layer increases the distance between the pixel electrode and the gate line and the data line, so that the parasitic capacitance between the pixel electrode and the gate line and the data line is reduced, thereby reducing the power consumption of the liquid crystal display panel.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)中，显示面板主要由薄膜晶体管阵列基板(TFT)、彩膜(CF)基板以及配置于这两个基板之间的液晶层(LC)所构成，其工作原理是通过在两个基板之间施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，以折射背光模组的光线，从而产生图像。通常，薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)是由TFT阵列基板与CF基板对盒而形成的。在TFT位置的上方，液晶分子会由于层面不平整及缺乏电压控制而出现杂乱的取向，因此需要在CF基板一侧使用大块面积的黑色矩阵进行遮挡。在现有技术的制备工艺中，由于阵列基板和彩膜基板在对盒工艺中不可避免地会存在对位偏差，因此在一定程度上影响到TFT-LCD的产品质量。此外，当对位偏差过大时，彩膜会发生错位，而黑色矩阵等无法形成遮挡，从而会发生串色现象。由对位偏差导致的串色不良是一种严重的漏光现象，进而使得液晶无法正确地传导显示的图像。COA(colorfilteronarray)技术是一种将彩色滤光层直接形成在阵列基板上的集成技术，其能够有效解决液晶显示装置的对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提高显示器的开口率。然而，在此技术中，仍存在着需要采用多个掩模进行图案化并且液晶显示器的显示面板的功耗高的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题中的至少一个，本专利技术提供了一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案。在一个实施例中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案的步骤可以包括：形成具有预定厚度的透明感光材料层，并利用灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成第一中间图案；在第一中间图案上形成表面平坦的黑色感光材料层，利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成第二中间图案；以及通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案，从而形成黑色矩阵和有机材料图案。在一个实施例中，形成第一中间图案的步骤可以包括：利用所述灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区、透明感光材料层的第二部分保留区和透明感光材料层的完全去除区，其中，所述第一中间图案包括透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区和透明感光材料层的第二部分保留区。在一个实施例中，形成第二中间图案的步骤可以包括：利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区、黑色感光材料层的第二部分保留区和黑色感光材料层的完全去除区，其中，所述第二中间图案包括黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区和黑色感光材料层的第二部分保留区。在一个实施例中，第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影与所述第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影不重合，第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影重合，第一中间图案的透明感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影重合。在一个实施例中，通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案的步骤可以包括：完全去除第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区以形成有机材料图案，并部分地去除第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区以形成黑色矩阵；以及完全去除第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区、完全去除第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区和第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区以形成黑色矩阵和有机材料图案之间的过孔。在一个实施例中，透明感光材料层可以为正性感光材料，黑色感光材料层可以为负性感光材料；或者，透明感光材料层可以为负性感光材料，黑色感光材料层可以为正性感光材料。在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之前，所述方法还可以包括：形成薄膜晶体管，并形成钝化层和色阻层；并且，在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还可以包括形成像素电极。在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还可以包括形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。根据本专利技术的另一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、形成在衬底基板上的薄膜晶体管以及形成在包括薄膜晶体管的衬底基板上的黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，黑色矩阵和有机材料图案同层设置。在本专利技术中，在像素电极与栅极线和数据线之间形成由有机材料形成的有机材料图案层，有机材料图案层的引入增大了像素电极与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。此外，因为黑色矩阵和有机材料图案层可以采用同一个掩模来形成，所以降低了制造成本。附图说明包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，附图并入本申请并组成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是示出根据本专利技术的实施例的阵列基板的示意性剖视图；图2至图6分别是示出根据本专利技术的实施例的形成黑色矩阵和有机材料图案层的工艺步骤的示意性剖视图；图7至图15分别是示出根据本专利技术的实施例的制造阵列基板的薄膜晶体管的方法的工艺步骤的示意性剖视图；以及图16是示出根据本专利技术的实施例的显示面板的示意性剖视图。具体实施方式将理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接”在另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“下”、“在…上方”、“上”、“在…下方”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。在下文中，将参照附图详细地解释本专利技术。图1是示出根据本专利技术的实施例的阵列基板的示意性剖视图。参照图1，根据本专利技术实施例的阵列基板可以包括衬底基板1、形成在衬底基板上的薄膜晶体管以及形成在包括薄膜晶体管的衬底基板1上的黑色矩阵8和有机绝缘图案9，其中，黑色矩阵8和有机材料图案9同层设置。具体地，根据本专利技术实施例的阵列基板可以包括：衬底基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案。

【技术特征摘要】
1.一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案。2.根据权利要求1所述的制造阵列基板的方法，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案的步骤包括：形成具有预定厚度的透明感光材料层，并利用灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成第一中间图案；在第一中间图案上形成表面平坦的黑色感光材料层，利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成第二中间图案；以及通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案，从而形成黑色矩阵和有机材料图案。3.根据权利要求2所述的制造阵列基板的方法，其中，形成第一中间图案的步骤包括：利用所述灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区、透明感光材料层的第二部分保留区和透明感光材料层的完全去除区，其中，所述第一中间图案包括透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区和透明感光材料层的第二部分保留区。4.根据权利要求2所述的制造阵列基板的方法，其中，形成第二中间图案的步骤包括：利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区、黑色感光材料层的第二部分保留区和黑色感光材料层的完全去除区，其中，所述第二中间图案包括黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区和黑色感光材料层的第二部分保留区。5.根据权利要求2-4中的任一项所述的制造阵列基板的方法，其中，第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影与所述第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区在衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵娜，许徐飞，周如，石跃，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34