陶瓷基质复合物构件和制造陶瓷基质复合物构件的工艺制造技术

一种制造热气路径涡轮构件的工艺。工艺包括在第一陶瓷基质复合物板层中形成空隙和在第二陶瓷基质复合物板层中形成空隙。第二陶瓷基质复合物板层定位在第一陶瓷基质复合物板层上，使得所述定位使空隙对齐，以至少部分地在构件中限定腔体。第三陶瓷基质复合物板层定位在第一陶瓷基质复合物板层和第一陶瓷基质复合物板层上，第二陶瓷基质复合物板层和第三陶瓷基质复合物板层被密实化而形成密实化本体。腔体存在于密实化本体中。还公开在其中具有腔体的陶瓷基质复合物。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基质复合物构件和制造陶瓷基质复合物构件的工艺
本专利技术大体涉及用于发电的燃气涡轮，且更具体而言涉及形成用于燃气涡轮的热气路径涡轮构件的陶瓷基质复合物构件的方法。
技术介绍
如由较传统的超合金材料形成的涡轮叶片和导叶那样，CMC叶片和导叶主要配备有腔体和冷却空隙，以减轻重量，减轻离心负载，和降低构件的运行温度。这些特征典型地使用可移除的且可消耗的加工的组合而形成在CMC构件中。内部冷却槽道对于冷却金属和CMC热气路径硬件是有利的，因为它们降低冷却流需求和热梯度/应力。基于碳化硅(SiC)的陶瓷基质复合物(CMC)材料被提供来作为燃气涡轮发动机的某些构件的材料，诸如涡轮叶片、导叶、喷嘴和叶轮。已知多种方法用于制造基于SiC的构件，包括Silicomp、熔体浸渗(MI)、化学气相浸渗(CVI)、聚合物浸渍热解(PIP)和氧化物/氧化物工艺。虽然这些制造技术显著各自彼此不同，但是各自涉及使用手动叠置和加工或模具，以通过包括在各种处理阶段应用热的工艺制造近净形状部件。用于在CMC构件中形成内部通道或腔体的当前制造方法使用需要在燃尽循环期间从内部通道“熔化出”或移除的材料。对CMC构件形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造陶瓷基质复合物构件的工艺，所述工艺包括：在第一陶瓷基质复合物板层中形成空隙；在第二陶瓷基质复合物板层中形成空隙；将所述第二陶瓷基质复合物板层定位在所述第一陶瓷基质复合物板层上，所述定位使所述空隙对齐，以至少部分地在所述构件中限定腔体；将第三陶瓷基质复合物板层定位在所述第一陶瓷基质复合物板层上；以及密实化所述第一陶瓷基质复合物板层、所述第二陶瓷基质复合物板层和所述第三陶瓷基质复合物板层，以形成密实化本体；其中所述腔体存在于所述密实化本体中。

【技术特征摘要】
2015.10.08 US 14/8780841.一种制造陶瓷基质复合物构件的工艺，所述工艺包括：在第一陶瓷基质复合物板层中形成空隙；在第二陶瓷基质复合物板层中形成空隙；将所述第二陶瓷基质复合物板层定位在所述第一陶瓷基质复合物板层上，所述定位使所述空隙对齐，以至少部分地在所述构件中限定腔体；将第三陶瓷基质复合物板层定位在所述第一陶瓷基质复合物板层上；以及密实化所述第一陶瓷基质复合物板层、所述第二陶瓷基质复合物板层和所述第三陶瓷基质复合物板层，以形成密实化本体；其中所述腔体存在于所述密实化本体中。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，空隙的形成通过下者中的一个或多个进行：对所述第一陶瓷基质复合物板层或所述第二陶瓷基质复合物板层的陶瓷基质复合物材料进行激光钻孔、放电机加工、切割或机加工。3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第一陶瓷基质复合物板层、所述第二陶瓷基质复合物板层和所述第三陶瓷基质复合物板层中的一个或多个为预浸渍复合物板层。4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第三陶瓷基质复合物板层的纤维与所述腔体的中心轴线形成大于10度角度。5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在密实化期间，所述腔体完全包围...

【专利技术属性】
技术研发人员：VJ摩根，JJ基特尔森，AJ加西亚克雷斯波，BP莱西，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US