MOS管参数退化电路和MOS管参数退化预警电路制造技术
MOS tube parameter degradation circuit and MOS tube parameter degradation warning circuit
The invention relates to a MOS tube parameter degradation circuit, including CMOS inverter, stress applied circuit and parameter measurement circuit; CMOS inverter includes a first PMOS tube and NMOS tube first; stress applied in the control circuit first mode selection signal under the conduction of stress applying circuit receives a control applying negative bias stress or positive gate bias stress on the first PMOS CMOS inverter tube signal; conducting control circuit for measuring the parameter selection signal in the second mode; parameter measurement circuit receives the input signal, the input signal will be output to the CMOS inverter; the first mode selection signal and the second mode select signal for complementary signals; the accuracy of the present invention MOS can improve the tube parameter degradation test results. In addition, the invention also relates to a MOS tube parameter degradation prewarning circuit, which can accurately analyze the influence of the NBTI effect on the parameters of the PMOS tube device.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及监测
，特别是涉及一种MOS管参数退化电路、一种MOS管参数退化预警电路、和另一种MOS管参数退化预警电路。
技术介绍
NBTI(NegativeBiasTemperatureInstability，负偏压温度不稳定性)效应是指在高温和负栅压偏置应力下的PMOS(positivechannelMetalOxideSemiconductor，指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的场效应晶体管)管的退化效应，即在NBTI效应的影响下，将会导致器件PMOS管的阈值电压发生漂移、漏极饱和电流和跨导均出现下降，从而导致器件甚至整个电路失效。目前，高性能CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)集成电路已经广泛应用于各种电子系统中。其中，MOS管作为构成CMOS集成电路的基础，其性能参数的稳定性对CMOS集成电路的性能起着至关重要的作用；特别地，使MOS(Mosfet，绝缘栅型场效应管)管性能指标的轻微漂移就会导致CMOS集成电路性能的严重退化。此外，随着工艺尺寸的减小，CMOS集成电路...
【技术保护点】
一种MOS管参数退化电路，其特征在于，包括：CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；所述CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，作为所述CMOS反相器的输入端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，作为所述CMOS反相器的输出端；所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述CMOS反相器的输入端分别与所述应力施加电路的输出端、所述参数测量电路的输出端连接；所述应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，所述应力施加电路接收控制信号后对所述CMOS反相器的第一PMOS...
【技术特征摘要】
1.一种MOS管参数退化电路，其特征在于，包括：CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；所述CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，作为所述CMOS反相器的输入端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，作为所述CMOS反相器的输出端；所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述CMOS反相器的输入端分别与所述应力施加电路的输出端、所述参数测量电路的输出端连接；所述应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，所述应力施加电路接收控制信号后对所述CMOS反相器的第一PMOS管施加负栅压偏置应力或者正栅压偏置应力；所述参数测量电路在第二模式选择信号的控制下导通，所述参数测量电路接收输入信号，将所述输入信号输出至所述CMOS反相器的输入端，所述CMOS反相器的输出端输出与所述输入信号反相的输出信号；所述第一模式选择信号与所述第二模式选择信号为互补信号；所述输入信号为低电平信号时，所述第一PMOS管导通，所述第一NMOS管截止，所述CMOS反相器的输出端输出高电平信号；所述输入信号为高电平信号时，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管导通，所述CMOS反相器的输出端输出低电平信号。2.根据权利要求1所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述应力施加电路包括第一门控开关电路和缓冲器，所述第一门控开关电路通过所述缓冲器与所述CMOS反相器的输入端连接；所述第一门控开关电路在所述第一模式选择信号的控制下导通；所述第一门控开关电路的输入端接收所述控制信号，将所述控制信号经所述缓冲器传输至所述CMOS反相器的输入端。3.根据权利要求2所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述第一门控开关电路包括第一反相器和第一CMOS传输门；所述第一CMOS传输门的输出端与所述缓冲器的输入端连接，所述第一CMOS传输门的第一控制端与第二控制端分别与所述第一反相器的输入端与输出端连接；所述第一CMOS传输门的输入端作为所述第一门控开关电路的输入端；所述第一反相器的输入端与所述第一CMOS传输门的第一控制端分别接收所述第一模式选择信号，所述第一反相器的输出端输出与所述第一模式选择信号反相的第一反相信号，所述第一CMOS传输门的第二控制端接收所述第一反相信号。4.根据权利要求3所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述参数测量电路包括第二门控开关电路；所述第二门控开关电路在所述第二模式选择信号的控制下导通；所述第二门控开关电路输入端接收所述输入信号，将所述输入信号输出至所述CMOS反相器的输入端。5.根据权利要求4所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述第二门控开关电路包括第二CMOS传输门；所述第二CMOS传输门的输出端与所述CMOS反相器的输入端连接，所述第二CMOS传输门的第三控制端与第四控制端分别与所述第一反相器的输入端与输出端连接；所述第一反相器的输入端与所述第二CMOS传输门的第三控制端分别接收所述第二模式选择信号，所述第一反相器的输出端输出与所述第二模式选择信号反相的第二反相信号，所述第二CMOS传输门的第四控制端接收所述第二反相信号。6.根据权利要求5所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述第一CMOS传输门包括第二PMOS管与第二NMOS管；所述第二CMOS传输门包括第五PMOS管与第五NMOS管；所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接，作为所述第一CMOS传输门的输入端；所述第二PMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极连接，作为所述第一CMOS传输门的输出端；所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极分别为所述第一CMOS传输门的第一控制端与第二控制端；所述第五PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极连接，作为所述第二CMOS传输门的输入端；所述第五PMOS管的源极与所述第五NMOS管的源极连接，作为所述第二CMOS传输门的输出端；所述第五NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的栅极分别为所述第二CMOS传输门的第三控制端与第四控制端。7.根据权利要求2所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述缓冲器包括第二反相器与第三反相器；所述第二反相器的输入端与所述第一门控开关电路的输出端连接，所述第二反相器的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：恩云飞，雷登云，陈义强，何春华，黄云，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44
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