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本发明涉及一种MOS管参数退化电路，包括CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，应力施加电路接收控制信号后对CMOS反相器的第一PMOS管施加...
该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所授权不得商用。

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