用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构，它包括芯片版图底板、栅极跑道、第一栅极槽、第二栅极槽与栅极；在芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道，栅极跑道与栅极相连，在芯片版图底板的上表面开设有若干第一栅极槽，在每两个第一栅极槽之间的芯片版图底板的上表面开设有第二栅极槽，且第一栅极槽均与栅极跑道呈相连设置，第二栅极槽呈浮空设置，且第一栅极槽与第二栅极槽均位于栅极跑道内部。本实用新型专利技术可以有效降低由中间沟槽引起的输入电容与米勒电容，从而提高器件开关速度，降低开关损耗，增大器件可使用频率范围，同时由于有效区域不变，器件的饱和压降并不受影响。

【技术实现步骤摘要】
用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构
本技术涉及一种版图结构，本技术尤其是涉及一种用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构。
技术介绍
现有技术为提高器件短路能力，会增加dummy区域（无电子沟道区域），过宽的dummy区可能导致芯片加工过程中发生翘曲，为了避免翘曲，会在dummy区添加沟槽，沟槽的增加会导致输入电容的增大，进而影响开关速度。本技术通过使dummy区的沟槽不接栅极跑道，从而实现输入电容和米勒电容的降低，进而提高开关速度，增大器件可使用频率范围。现有结构为提高短路能力，会增加dummy区域，过宽的dummy区可能导致芯片加工过程中发生翘曲，为了避免翘曲，会在dummy区添加沟槽，沟槽的增加会导致输入电容的增大，影响开关速度。对于现有技术的版图结构中，三个栅极沟槽均接栅极跑道，位于中间的栅极沟槽的主要作用是提高沟槽面内分布均匀性，从而有效防止芯片加工过程中发生翘曲。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种可以有效降低由中间沟槽引起的输入电容与米勒电容、提高器件开关速度、降低开关损耗的用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构。按照本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构，其特征是：它包括芯片版图底板（1）、栅极跑道（2）、第一栅极槽（3）、第二栅极槽（4）与栅极（5）；在芯片版图底板（1）的上表面淀积有栅极跑道（2），栅极跑道（2）与栅极（5）相连，在芯片版图底板（1）的上表面开设有若干第一栅极槽（3），在每两个第一栅极槽（3）之间的芯片版图底板（1）的上表面开设有第二栅极槽（4），且第一栅极槽（3）均与栅极跑道（2）呈相连设置，第二栅极槽（4）呈浮空设置，且第一栅极槽（3）与第二栅极槽（4）均位于栅极跑道（2）内部。

【技术特征摘要】
1.一种用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构，其特征是：它包括芯片版图底板（1）、栅极跑道（2）、第一栅极槽（3）、第二栅极槽（4）与栅极（5）；在芯片版图底板（1）的上表面淀积有栅极跑道（2），栅极跑道（2）与栅极（5）相连，在芯片版图底板（1）的上表面开设有若干第一栅极槽（3），在每两个第一栅极槽（3）之间的芯片版图底板（1）的上表面开设有第二栅极槽（4），且第一栅极槽（3）均与栅极跑道（2）呈相...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32