用于减小半导体器件中的热机械应力的方法以及对应器件技术

在一个实施例中，一种半导体器件包括一个或多个金属化层，诸如例如Cu‑RDL金属化层，设置在电介质层之上的钝化层上。在金属化层的角部附近穿过钝化层和电介质层提供过孔。过孔可以是不具有去往有源器件的电连接的“虚设”过孔，并且可以设置在距位于下方金属层上的所述汇聚侧边的每一个近似1微米(10

【技术实现步骤摘要】
用于减小半导体器件中的热机械应力的方法以及对应器件
本说明书涉及减小半导体器件中的热机械应力。一个或多个实施例可以适用于例如，例如用于车辆和消费产品的集成电路。
技术介绍
各种类型的集成电路(IC)可以采用诸如BCD(双极-CMOS-DMOS)技术之类的技术。BCD技术可以有利地例如用于生产具有功率电子器件和逻辑控制电子器件的集成电路。BCD技术提供了一系列硅工艺，每个硅工艺将三个不同工艺技术的效力组合至单个芯片上：用于精确模拟功能的双极，用于数字设计的CMOS(互补金属氧化物半导体)，以及用于功率和高电压元件的DMOS(双扩散金属氧化物半导体)。实施BCD技术可以包括顶层铜金属互联，所谓的再分布层(RDL)。例如由在接线键合和封装工艺期间的热弹性耦合和应力所引起的、钝化和中间绝缘层对于可靠性的抵抗问题可能呈现需要关注的因素。氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)可以用于制造IC以提供用于微芯片的钝化层，例如用于提供抵抗水分子以及微电子中的腐蚀和不稳定性的其他来源的阻挡层。在诸如Cu(铜)RDL顶部金属化层之类的金属化层的结构角部中，由于不同材料之间的热机械失配而可能引起应力，不同的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：制造半导体器件，所述制造包括：在电介质层之上提供钝化层；在所述钝化层上提供金属化层，所述金属化层具有角部；以及在所述角部附近提供穿过所述钝化层和所述电介质层的过孔。

【技术特征摘要】
2016.02.01 IT 1020160000100341.一种方法，包括：制造半导体器件，所述制造包括：在电介质层之上提供钝化层；在所述钝化层上提供金属化层，所述金属化层具有角部；以及在所述角部附近提供穿过所述钝化层和所述电介质层的过孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述过孔包括提供不具有去往有源器件的电连接的过孔。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述角部包括汇聚侧边；以及提供所述过孔包括以距所述汇聚侧边的每一个近似1微米和近似10微米之间的距离而提供所述过孔。4.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述金属化层作为Cu金属化层。5.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述过孔包括提供所述过孔作为位于下方金属层上的过孔。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，形成为所述过孔加衬并且在所述金属化层下方的阻挡层。7.一种半导体器件，包括：电介质层；钝化层，在所述电介质层之上；金属化层，具有角部；以及过孔，在所述角部附近穿过所述钝化层和所述电介质层。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述过孔不具有去往有源器件的电连接。9.根据权利要求7所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·科尔帕尼，A·米拉尼，L·瓜里诺，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT