温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一个实施例中，一种半导体器件包括一个或多个金属化层，诸如例如Cu‑RDL金属化层，设置在电介质层之上的钝化层上。在金属化层的角部附近穿过钝化层和电介质层提供过孔。过孔可以是不具有去往有源器件的电连接的“虚设”过孔，并且可以设置在距位于下方...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。