半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法等。
技术介绍
例如，作为电路元件而使用搭载有横向型的PNP双极性晶体管的半导体装置。该晶体管具有：被配置在P型的半导体基板上的N型的埋入扩散层；被配置在半导体基板上的P型的外延层(半导体层)；为了实现与埋入扩散层的接触而从半导体层的表面起延伸至埋入扩散层的N型的杂质扩散区(N塞)；到达埋入扩散层的较深的N阱。在这样的半导体装置的制造过程中，作为在MOS场效应晶体管的形成中所未使用的工序，而需要进行如下工序，即：在P型的半导体层的下层中形成N型的埋入扩散层的工序、形成从半导体层的表面起延伸至埋入扩散层的N塞的工序、形成到达埋入扩散层的较深的N阱的工序。此外，作为半导体装置中的电路元件，有时会形成齐纳二极管。齐纳二极管由高浓度的P型的杂质扩散区与N型的杂质扩散区之间的PN结构成。通常情况下，使构成MOS场效应晶体管的源极或漏极的P型的杂质扩散区和N型的杂质扩散区接合，从而形成PN结。但是，当击穿电压的规格不同的情况下，需要进行通过追加其他浓度的杂质扩散区并实施浓度调节从而形成PN结的工序。另...
【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第一导电型的半导体基板；第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；半导体层，其被配置在所述半导体基板上；第二导电型的第一杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第一埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第一区域；第二导电型的第二杂质扩散区，其在所述半导体层中被配置于所述第二埋入扩散层上；第二导电型的第一阱，其被配置在所述半导体层的第一区域内；第一导电型的第二阱，其被配置在所述半导体层中与所述第二杂质扩散区相接的第二区域内；第一导电型的第三杂质扩散区以及第一导电型的第四杂质扩散区，其被配置在所述第一...
【技术特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2420571.一种半导体装置，具备：第一导电型的半导体基板；第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；半导体层，其被配置在所述半导体基板上；第二导电型的第一杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第一埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第一区域；第二导电型的第二杂质扩散区，其在所述半导体层中被配置于所述第二埋入扩散层上；第二导电型的第一阱，其被配置在所述半导体层的第一区域内；第一导电型的第二阱，其被配置在所述半导体层中与所述第二杂质扩散区相接的第二区域内；第一导电型的第三杂质扩散区以及第一导电型的第四杂质扩散区，其被配置在所述第一阱中；第一导电型的第五杂质扩散区，其被配置在所述第二阱中。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：第二导电型的第三埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；第二导电型的第六杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第三埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第三区域；第二导电型的第三阱，其被配置在所述半导体层的第三区域内；第二导电型的第七杂质扩散区，其被配置在所述第三阱中；第一导电型的第八杂质扩散区，其被配置在至少所述第七杂质扩散区上。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：第二导电型的第四埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；第二导电型的第四阱，其被配置在所述第四埋入扩散层上的所述半导体层的第四区域内；第一导电型的第九杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；第二导电型的第十杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；栅电极，其隔着绝缘膜而被配置在所述第四阱上；第二导电型的第十一杂质扩散区，其被配置在所述第九杂质扩散区内。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备：第二导电型的第四埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；第二导电型的第四阱，其被配置在所述第四埋入扩散层上的所述半导体层的第四区域内；第一导电型的第九杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；第二导电型的第十杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；栅电极，其隔着绝缘膜而被配置在所述第四阱上；第二导电型的第十一杂质扩散区，其被配置在所述第九杂质扩散区内。5.一种半导体装置的制造方法，具备：在第一导电型的半导体基板中同时形成第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层的工序；在所述半导体基板上形成半导体层的工序；在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑泽和伸，佐久间盛敬，新田博明，関泽充生，远藤刚廣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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