一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法，属于磁传感器技术领域。制作步骤为：(1)低阻硅片；(2)氧化形成SiO2绝缘层；(3)溅射Cr/Cu薄膜作为种子层；(4)腐蚀Cr/Cu种子层；(5)深硅刻蚀；(6)将非晶丝放入刻蚀的槽中；(7)涂胶、前烘、显影、HF刻蚀包裹在非晶丝两端的玻璃；(8)电镀Cu；(9)去胶；(10)去Cr/Cu种子层；(11)划片。本发明专利技术克服了传统焊接导致非晶丝两端接触电阻一致性差、难以批量生产的缺点，直接使用MEMS工艺将非晶丝两端电镀在焊盘上，解决了接触电阻一致性差的问题。该发明专利技术使传感器实现了体积小、可批量生产，从而提高了传感器的性能和生产效率。

Amorphous filament GMI magnetic sensor and manufacturing method thereof

The invention relates to an amorphous filament GMI magnetic sensor and a manufacturing method thereof, belonging to the technical field of magnetic sensors. The making steps are as follows: (1) low resistivity silicon wafer; (2) oxidized to form SiO2 insulating layer; (3) sputtering Cr/Cu film as seed layer; (4) the corrosion of Cr/Cu seed layer; (5) deep silicon etching; (6) the amorphous wire into the etching groove; (7) coating and baking, developing, etching of HF amorphous wire wrapped in both ends of the glass; (8) Cu (9) to electroplating; adhesive; (10) to Cr/Cu seed layer; (11) dicing. The invention overcomes the traditional welding at both ends of the amorphous wire contact resistance, poor consistency, difficult to mass production shortcomings, the direct use of MEMS technology in electroplating amorphous wire at both ends of the pads, solves the consistency problem of poor contact resistance. The invention enables the sensor to realize small volume and mass production, thereby improving the performance and production efficiency of the sensor.

【技术实现步骤摘要】
一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法
本专利技术涉及一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法，属于磁传感器

技术介绍
巨磁阻抗效应(GMI，giantmagneto-impedance)的发现为开发具有高灵敏度、高精度的磁传感器提供了可能。传统的磁探测技术在功耗、体积、探测精度、灵敏度等问题上一直无法满足磁传感器的要求。通常非晶丝、非晶带虽然能达到很高GMI效应，但是非晶丝两端采用传统的焊接工艺，会导致接触电阻不易控制，一致性非常差。从而导致制作出的GMI磁传感器性能一致性差、体积大、不能批量生产等缺点。将MEMS工艺用于非晶丝GMI磁传感器的制造，可有效解决非晶丝两端的焊接问题，大大提高器件性能的一致性，而且利于器件的批量生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术存在的非晶丝两端焊接处接触电阻一致性差，且不能进行批量生产的问题，提供一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案。一种非晶丝GMI磁传感器，将缠绕有线圈的非晶丝固定在带有凹槽的硅衬底的凹槽中；一种非晶丝GMI磁传感器的制作方法，具体步骤如下：步骤一、在硅衬底上氧化一层S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：将缠绕有线圈的非晶丝固定在带有凹槽的硅衬底的凹槽中。

【技术特征摘要】
1.一种非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：将缠绕有线圈的非晶丝固定在带有凹槽的硅衬底的凹槽中。2.一种非晶丝GMI磁传感器的制作方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、在硅衬底上氧化一层SiO2绝缘层；步骤二、在绝缘层上溅射Cr/Cu金属作为电镀种子层；步骤三、在种子层上旋涂光刻胶并烘干，得到产物A；步骤四、在产物A上进行光刻、腐蚀Cr/Cu种子层；步骤五、采用硅刻蚀(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建华，邹乔方，徐立新，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京,11