一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法，该软磁合金的分子式为FeaSibBcMdCueNbfM’g，其中M为Al或Zn，M’选自Y、Gd或Er中的一种或几种，a、b、c、d、e、f、g为质量百分比，取值范围分别为：79≤a≤88.5，8≤b≤11，0.05≤c≤2，0.8≤d≤1.5，0.7≤e≤2.5，2≤f≤4，0.008≤g≤0.02。该软磁合金在兼具高磁导率、高Bs、低矫顽力和低损耗的基础上，通过采用廉价的Al或Zn部分取代铜、降低Nb的含量和掺杂微量稀土金属来降低生产成本，通过本发明专利技术公开的工艺简单的制备方法得到低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金。

【技术实现步骤摘要】
201610355306

【技术保护点】
一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金，其特征在于：所述软磁合金的分子式为FeaSibBcMdCueNbfM’g，其中M为Al或Zn，M’选自Y、Gd或Er中的一种或几种，a、b、c、d、e、f、g为质量百分比，取值范围分别为：79≤a≤88.5，8≤b≤11，0.05≤c≤2，0..8≤d≤1.5，0.7≤e≤2.5，2≤f≤4，0.008≤g≤0.02。

【技术特征摘要】
1.一种低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金，其特征在于：所述软磁合金的分子式为FeaSibBcMdCueNbfM’g，其中M为Al或Zn，M’选自Y、Gd或Er中的一种或几种，a、b、c、d、e、f、g为质量百分比，取值范围分别为：79≤a≤88.5，8≤b≤11，0.05≤c≤2，0..8≤d≤1.5，0.7≤e≤2.5，2≤f≤4，0.008≤g≤0.02。2.根据权利要求1所述的低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金，其特征在于：所述软磁合金的高饱和磁感应强度Bs为1.632～1.74T。3.根据权利要求1所述的低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金，其特征在于：所述软磁合金包括非晶基体和纳米晶粒相，所述的纳米晶粒相为体心立方的α-Fe，其平均晶粒尺寸小于15nm，其中优选晶粒尺寸为11nm。4.一种根据权利要求1所述的低成本的高导磁铁基非晶纳米晶软磁合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)原材料配比：将纯铁、多晶硅、硼铁、纯铜、纯铝或纯锌、铌铁、稀土金属中的Y、Gd和/或Er按照所述软磁合金分子式中各元素的质量百分比进行配料，得到母合金原料；(2)母合金原料熔炼：将配比好的母合金原料依次按照少量纯铁和铌铁、少量硼铁和少量纯铁、铜和铝或铜和锌、稀土元素中的Y、Gd和/或Er、少量硼铁和少量纯铁、多晶硅、和余量纯铁的顺序在中频熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨峰，朱昭峰，
申请(专利权)人：江苏奥玛德新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32