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本发明涉及一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法，属于磁传感器技术领域。制作步骤为：(1)低阻硅片；(2)氧化形成SiO2绝缘层；(3)溅射Cr/Cu薄膜作为种子层；(4)腐蚀Cr/Cu种子层；(5)深硅刻蚀；(6)将非晶丝放入刻蚀的槽中；(...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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