树脂膜形成用片、树脂膜形成用复合片、及硅晶片的再生方法技术

本发明专利技术提供一种再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有由特定粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上。

Resin film forming sheet, composite sheet for forming resin film, and method for regenerating silicon wafer

The invention provides a removability and end sealing resin film excellent forming sheet, which is bonded to the silicon wafer, for forming a resin film on the silicon wafer, wherein the resin film formed by the film satisfies the following elements (I) ~ (III). The elements (I): to form the resin film and the silicon wafer pasting sheet side surface (a) surface roughness (Ra) of 50nm (II): the following elements; the resin film formed by the surface (a) with respect to the adhesion of silicon wafers (alpha 1) 1 ~ (III): 7.0N/25mm; elements and the resin film and the opposite side of the silicon wafer paste formed by the surface of the slices (beta) relative to the adhesion of the adhesive layer is formed by specific adhesive adhesive sheet adhesive layer thickness of 10 ~ 50 m of (beta 1) is more than 4.0N/25mm.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜形成用片、树脂膜形成用复合片、及硅晶片的再生方法
本专利技术涉及树脂膜形成用片、及具有在支撑片上叠层有该树脂膜形成用片的结构的树脂膜形成用复合片、以及硅晶片的再生方法。
技术介绍
近年来，使用了被称为所谓倒装(facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在倒装方式中，在基板的电路面上搭载有具有凸块等电极的半导体芯片(以下，也简称为“芯片”)，且芯片的电极与基板接合。因此，有时会导致和与基板接合一侧相反侧的芯片的表面(以下，也称为“芯片的背面”)发生剥露。有时在该发生了剥露的芯片的背面形成由有机材料形成的树脂膜，从而以带树脂膜的芯片的形式组装在半导体装置中。该树脂膜能够担负起用于防止在切割工序、封装之后产生裂纹的作为保护膜的功能、用于将所得芯片粘接在晶垫部或另外的半导体芯片等其它构件上的作为粘接膜的功能。一般来说，该带树脂膜的芯片是通过在将包含树脂的组合物的溶液利用旋涂法等涂布在晶片的背面而形成涂膜之后，使该涂膜干燥及固化而形成树脂膜，并对所得带树脂膜的晶片进行切割而制造的。另外，通过将固化性的树脂膜形成用片粘贴于晶片的背面，并在进行晶片切割的前后通过照射能量线或进行加热而使该树脂膜形成用片固化来获得树脂膜，由此也可以制造带树脂膜的晶片或带树脂膜的芯片。作为在这样的芯片的背面、晶片的背面上形成也担负着作为保护膜、粘接膜的功能的树脂膜的材料，已提出了各种树脂膜形成用片。例如，在专利文献1中公开了一种芯片保护用膜，其是具有能量线固化型保护膜形成层被2片剥离片夹持而成的结构的芯片保护用膜，所述能量线固化型保护膜形成层包含：包含丙烯酸类共聚物的聚合物成分、能量线固化性成分、染料或颜料、无机填料、及光聚合引发剂。根据专利文献1的记载，该芯片保护用膜能够通过照射能量线而形成激光打标识别性、硬度、以及与晶片的密合性良好的保护膜，并且与现有的芯片保护用膜相比，能够实现工序的简化。另外，专利文献2中公开了一种切割胶带一体型晶片背面保护膜，其具有包含基材及粘合剂层的切割胶带，并在该切割胶带的粘合剂层上具有经过了着色、且具有给定弹性模量的晶片背面保护膜。根据专利文献2的记载，该晶片背面保护膜在半导体晶片的切割工序中与半导体晶片之间的保持力良好。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-138026号公报专利文献2：日本特开2010-199543号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在将专利文献1及2中记载的保护膜粘贴在晶片上的工序中，可能会发生粘贴在晶片上的保护膜产生位置的偏差、或在晶片上附着有异物的状态下以在该晶片上还包含异物的形式粘贴了保护膜的情况。在这样的情况下，是很难将暂时粘贴在了晶片上的保护膜从晶片进行再剥离的。特别是，就专利文献1及2中公开的保护膜而言，如果出于提高粘贴时与晶片之间的密合性、粘贴后与晶片之间的保持力的目的而暂时地粘贴在晶片上，则由于与晶片之间的密合性高，因而进行再剥离是极其困难的。也就是说，如果要强行将粘贴在晶片上的保护膜剥离，则可能出现在施加力时发生晶片的破损、或即使在未发生晶片破损的情况下剥下了保护膜也会在晶片上残存部分保护膜的情况。在专利文献1及2中，针对所记载的保护膜，从粘贴时与晶片之间的密合性、粘贴后与晶片之间的保持力的观点出发而进行了研究，但完全没有关于暂时地粘贴在晶片上的保护膜的再剥离性的研究。需要说明的是，不仅在刚刚将保护膜和晶片进行粘贴之后会意识到保护膜重贴的必要性，很多情况下，在粘贴之后，在以晶片上粘贴有保护膜的叠层体的状态静置24小时左右之后也会意识到保护膜重贴的必要性。在将保护膜粘贴于晶片之后，经过的时间越长则晶片与保护膜之间的密合性越会提高，因此通常会导致难以对保护膜进行再剥离。另外，也关注到粘贴于硅晶片之后的再剥离性而考虑了使用对与晶片粘贴一侧的表面进行了粗糙化设计的保护膜，但这样的保护膜在与晶片粘贴之后，端部容易发生翘起或剥离，会产生端部密合性不良的问题。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片、及具有在支撑片上叠层有该树脂膜形成用片的结构的树脂膜形成用复合片、以及硅晶片的再生方法。解决问题的方法本专利技术人等发现，对待与硅晶片粘贴一侧的表面的表面粗糙度及相对于硅晶片的粘合力、以及与该表面相反一侧的另一表面的相对于通常的粘合片的粘合剂层的粘合力进行调整而得到的树脂膜形成用片，可以解决上述课题，进而完成了本专利技术。即，本专利技术提供下述[1]～[10]。[1]一种树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的上述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下。要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm。要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的上述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。[2]上述[1]所述的树脂膜形成用片，其在23℃时的储能模量为0.10～20GPa。[3]上述[1]或[2]所述的树脂膜形成用片，其中，所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角为70～110°。[4]上述[1]～[3]中任一项所述的树脂膜形成用片，其包含聚合物成分(A)及固化性成分(B)。[5]上述[4]所述的树脂膜形成用片，其中，聚合物成分(A)包含丙烯酸类聚合物(A1)。[6]上述[5]所述的树脂膜形成用片，其中，丙烯酸类聚合物(A1)是具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1)及源自腈类单体的结构单元(a2)的丙烯酸类共聚物。[7]上述[1]～[6]中任一项所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。[8]一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上叠层有上述[1]～[7]中任一项所述的树脂膜形成用片的结构。[9]上述[8]所述的树脂膜形成用复合片，其中，上述树脂膜形成用片具有被2片支撑片夹持的结构。[10]一种硅晶片的再生方法，其包括：将上述[1]～[7]中任一项所述的树脂膜形成用片的表面(α)直接粘贴在硅晶片上而形成叠层体，对该树脂膜形成用片进行再剥离而由所述叠层体再生硅晶片，其中，该再生方法具有下述工序(1)～(2)：工序(1)：将具有基材及粘合剂层的粘合片的该粘合剂层粘贴在所述叠层体的所述树脂膜形成用片的表面(β)上的工序。工序(2)：对在工序(1)中粘贴在上述树脂膜形成用片的表面(β)上的所述粘合片进行牵拉，对粘贴在所述硅晶片上的所述树脂膜形成用片进行再剥离的工序。专利技术的效果本专利技术的树脂膜形成用片的再剥离性及端部密合性优异。因此，在暂时将本专利技术的树脂膜形成用片粘贴于硅晶片之后产生了重贴的必要性的情况下，能够在不导致硅晶片发生破损、且抑制所粘贴的树脂膜形成用片的一部分附着并残存在硅晶片上的同时，将该树脂膜形成用片从硅晶片进行再剥离。其结果，对于再剥离了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)：要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.14 JP 2015-0051681.一种树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)：要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。2.根据权利要求1所述的树脂膜形成用片，其在23℃时的储能模量为0.10～20GPa。3.根据权利要求1或2所述的树脂膜形成用片，其中，所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角为70～110°。4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂膜形成用片，其包含聚合物成分(A)及...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，山本大辅，米山裕之，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP