The invention provides a EFUSE burning method and burning circuit, a constant current source and the address vector combination produces a constant current pulse; based on EFUSE IP correction, and determine the scanning current full address range EFUSE bit value; the maximum selection of scan current value, as a constant current the source of the set value, the EFUSE writing test, and the other EFUSE data download. Through the constant current pulse of EFUSE programming, through the current vector control EFUSE burning conditions, in order to ensure the EFUSE regardless of the length of transmission line the burning conditions, and avoid the burning past EFUSE thermal effect of burst mode, but to make the fuse by electron transfer mode, so as to improve the burning EFUSE write in the process of stability, but also improve the EFUSE data at high temperature can be maintained.
【技术实现步骤摘要】
一种EFUSE烧写方法及烧写电路
本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种EFUSE烧写方法及烧写电路。
技术介绍
目前电烧写熔丝(EFUSE)的烧写主要通过电压与时间的组合来实现。但是由于大容量的EFUSE本身内部的线长就会造成EFUSE的各个位(bit)的应加条件不同,导致烧写结果不同。而采用电压方式烧写EFUSE可能出现瞬间大电流,导致EFUSE热效应爆炸或熔断。但这种效应下EFUSE炸出的东西会污染周边电路导致短路失效。或者EFUSE熔化扭曲消耗的能量,导致EFUSE并未烧断。另外,EFUSE在高温烘烤时导致熔断部分再次连接导致EFUSE数据失效。即使烧断也有部分EFUSE单元熔后电阻偏小,影响长期使用的可靠性。如图1所示,固定电压烧写后EFUSE电阻值,图1中,黑线圈中为EFUSE熔断范围,虽然所有EFUSE单元功能都正确都大于阈值电阻,但是有0.5%的单元阻值小于10万欧,甚至只有几千欧。再如图2和3所示,几千欧姆的EFUSE发生热效应发生了爆裂与扭曲,但未断,而好的EFUSE单元则出现烧断的空洞。
技术实现思路
为了克服以上问题,本专利技术旨在提供一种EFUSE烧写方法及烧写电路,在EFUSE烧写中改用电迁移效应,在测试过程中找出产生电迁移的有效电流窗口。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种一种EFUSE烧写方法,包括:采用一恒流源与地址向量组合产生一恒流脉冲;对EFUSEIP进行校正,并且确定全地址范围内EFUSEbit的扫描电流值;选取扫描电流值的最大值,作为恒流源设定值,进行该EFUSE进行烧写测试,并对其它EFUSE进行数据下载。优 ...
【技术保护点】
一种EFUSE烧写方法,其特征在于,包括:采用一恒流源与地址向量组合产生一恒流脉冲;对EFUSE IP进行校正,并且确定全地址范围内EFUSE bit的扫描电流值;选取扫描电流值的最大值,作为恒流源设定值,进行该EFUSE进行烧写测试,并对其它EFUSE进行数据下载。
【技术特征摘要】
1.一种EFUSE烧写方法,其特征在于,包括:采用一恒流源与地址向量组合产生一恒流脉冲;对EFUSEIP进行校正,并且确定全地址范围内EFUSEbit的扫描电流值;选取扫描电流值的最大值,作为恒流源设定值,进行该EFUSE进行烧写测试,并对其它EFUSE进行数据下载。2.根据权利要求1所述的EFUSE烧写方法,其特征在于,所述恒流源采用运放电路与电阻组合电路得到。3.根据权利要求2所述的EFUSE烧写方法,其特征在于,所述运放电路与电阻组合电路包括:一个可变电阻、一个运放电路、以及一个NMOS管与下拉电阻组成的分压电路;可变电阻的一端接参考电压端(VREF),另一端接地,可变电路的可变端与运放电路的正极端相连,运放电路的负极端与NMOS管的源极、下拉电阻的一端共同连接至一节点,运放电路的输出端与NMOS管的栅极相连;NMOS管的漏极与烧写端(FS)相连;下拉电阻的另一端接地。4.根据权利要求1所述的EFUSE烧写方法,其特征在于,所述对EFUSEIP进行校正,并且确定全地址范围内EFUSEbit的扫描电流值具体包...
【专利技术属性】
技术研发人员:武建宏,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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