铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法技术

本发明专利技术公开铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法。具体提供一种即便用于弯折后使用或弯曲后使用的高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。本发明专利技术的铜箔是在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。

【技术实现步骤摘要】
铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法
本专利技术涉及一种铜箔、覆铜层压板、印刷配线板的制造方法、电子机器的制造方法、传输线的制造方法及天线的制造方法。
技术介绍
印刷配线板在这半个世纪中取得了重大进展，如今几乎用于所有电子机器中。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，且对印刷配线板要求优异的高频应对。为了确保输出信号的品质，要求高频用基板降低传输损耗。传输损耗主要包括因树脂(基板侧)产生的介质损耗、及因导体(铜箔侧)产生的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗正切越小，则介质损耗越少。在高频信号中，导体损耗的主要原因在于：因电流随频率的提高而越仅流经导体表面的趋肤效应，导致电流流经的截面积减少，从而电阻增高。因此，在形成高频电路的情况下，必须比通常更加高精度地形成电路，且必需优异的电路加工性。作为使高频用铜箔的传输损耗降低的技术，例如在专利文献1中公开了一种高频电路用金属箔，其是在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金属，且在该银或银合金被覆层上施加有比所述银或银合金被覆层的厚度薄的银或银合金以外的被覆层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。

【技术特征摘要】
2016.01.15 JP 2016-0056451.一种铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。2.根据权利要求1所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。3.根据权利要求1所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。4.根据权利要求2所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。5.一种铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。6.根据权利要求5所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。7.一种铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。8.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，(A)氟树脂、(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、(C)液晶聚合物树脂，将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，(E-1)370℃、0.8秒、(E-2)370℃、2秒、(E-3)350℃、4秒、(E-4)300℃、10分钟，(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟。9.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，所述绝缘基材为聚四氟乙烯树脂、或介电损耗正切值为0.006以下的聚酰亚胺树脂、或者作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的液晶聚合物树脂。10.根据权利要求8所述的铜箔，其中，所述绝缘基材为聚四氟乙烯树脂、或介电损耗正切值为0.006以下的聚酰亚胺树脂、或者作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的液晶聚合物树脂。11.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。12.根据权利要求8所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。13.根据权利要求9所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。14.根据权利要求10所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。15.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。16.根据权利要求8所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。17.根据权利要求9所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。18.根据权利要求10所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。19.根据权利要求11所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。20.根据权利要求12所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。21....

【专利技术属性】
技术研发人员：福地亮，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP