有机发光显示器件制造技术

本发明专利技术公开一种有机发光显示器件。所述有机发光显示器件包括第一导电层、第二导电层、形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间的空穴传输部和电子传输部及形成所述空穴传输部和所述电子传输部之间的发光层，所述发光层包括荧光发光层、金属辅助延迟荧光发光层及形成于所述荧光发光层和所述金属辅助延迟荧光发光层之间的激子阻隔层。本发明专利技术提供的有机发光显示器件能提高MADF激子的利用率、且降低其效率滚降。

Organic light emitting display device

The invention discloses an organic light emitting display device. The organic light emitting display device includes a first conductive layer, a second conductive layer, formed between the first conductive layer and the second conductive layer of the hole transport department and electronic transmission part and a light-emitting layer formed between the hole transport department and the Department of electronic transmission, wherein the light-emitting layer includes a luminescent layer, metal assisted delayed fluorescence emitting layer and formed on the luminescent layer and the metal assisted exciton barrier layer delay between the fluorescence emitting layer. The organic light emitting display device provided by the invention can improve the utilization rate of MADF exciton and reduce the efficiency drop.

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示器件
本专利技术涉及发光二极管
，具体涉及一种有机发光显示器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源，具有广视角、响应时间短、轻薄和实现任意弯曲的优点。OLED的发光机制为当对OLED器件施加偏压后，空穴从阳极注入，经由HIL/HTL跃迁到EML，电子由阴极注入，经由EIL/ETL进入到EML，空穴和电子载流子在主体材料上复合形成不稳定的激子，通过FET能量转移到客体上进行退激发的过程。OLED材料发展的历程中，OLED机制中有以下四种：a)荧光；b)磷光；c)TADF热延迟荧光；d)金属辅助延迟荧光MADF。其中TADF技术要求T1和S1能级比较接近时，T1能量能够通过间隙串跃ISC回转到S1上，从而实现100％荧光发射过程。TADF的技术缺陷，在于需要一个热辅助过程，如果S1→T1分裂能太大，部分三线态T1将会非辐射泯灭。MADF是利用重金属M的耦合效应，有效提升S1→T1间的间隙串跃ISC以保证有效的T1→S0磷光过程，以及S1→S0的延迟荧光过程，而不用关心S1与T1能级是否接近。虽然MADF金属辅助延迟荧光技术是光-电转化效率最高的材料。但相关技术中，OLED器件的效率滚降Roll-off非常严重，已经超过70％。其中效率滚降定义为低电流密度下(低亮度)的电流效率(或外部量子效率)到亮度达到10000cd/m2时的变化量。效率滚降严重，则意味着OLED材料或器件在使用过程中衰减过快，产生的激子很快发生淬灭，而没有转化为可以使用的光线，严重限制了MADF技术的商业应用。且相关技术中，空穴载流子从ITO注入，电子载流子从阴极注入，但是空穴载流子的迁移率级别一般处于10-4～10-3cm2/V/S,远远大于电子载流子的迁移率10-5cm2/V/S，因此，相关技术中空穴与电子在EML/HBL界面进行复合形成单线态S1和三线态T1激子。在高电流密度下，T1激子间的浓度非常高，激子间就会发生三重态-三重态湮灭(triplet-tripeltAnnihilation，TTA)或三重态-激化子湮灭(triplet-polaronannihilation，TPA)，从而导致OLED的性能直线下降。因此，有必要提供一种新的工艺解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述技术问题，提供一种能提高MADF激子的利用率、且降低其效率滚降的有机发光显示器件。本专利技术的技术方案是：一种有机发光显示器件，包括第一导电层、第二导电层、形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间的空穴传输部和电子传输部及形成所述空穴传输部和所述电子传输部之间的发光层，所述发光层包括荧光发光层、金属辅助延迟荧光发光层及形成于所述荧光发光层和所述金属辅助延迟荧光发光层之间的激子阻隔层。优选的，所述金属辅助延迟荧光发光层至少由一种金属辅助延迟荧光材料和一种延迟荧光主体材料掺杂形成，且所述金属辅助延迟荧光材料的单线态能级与三线态能级差不超过0.3ev。优选的，所述金属辅助延迟荧光材料选自以下通式所示化合物组成的组：在通式I中，M表示金属Ir、Rh、Ni、Cu或Ag；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y1a、Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；通式II中，M表示金属Pt、Pd或Au；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃，氨基或烷氧基；Y1a、Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃，氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y3e、Y3f、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；在通式III中，M表示金属Pt、Pd、Au或Ag；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y1a、Y1b中的其中一者表示是B(R3)2，另一者表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；通式IV中，M表示金属Ir、Rh、Os、Co或Ru；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y1a、Y1b、Y1c、Y1d、Y1e各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y3e、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n、l、p各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；在通式V中，M表示金属Pt、Pd、Au、Ir、Rh、Ni、Cu或Ag；Y1a、Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器件，包括第一导电层、第二导电层、形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间的空穴传输部和电子传输部及形成所述空穴传输部和所述电子传输部之间的发光层，其特征在于，所述发光层包括荧光发光层、金属辅助延迟荧光发光层及形成于所述荧光发光层和所述金属辅助延迟荧光发光层之间的激子阻隔层。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示器件，包括第一导电层、第二导电层、形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间的空穴传输部和电子传输部及形成所述空穴传输部和所述电子传输部之间的发光层，其特征在于，所述发光层包括荧光发光层、金属辅助延迟荧光发光层及形成于所述荧光发光层和所述金属辅助延迟荧光发光层之间的激子阻隔层。2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述金属辅助延迟荧光发光层至少由一种金属辅助延迟荧光材料和一种延迟荧光主体材料掺杂形成，且所述金属辅助延迟荧光材料的单线态能级与三线态能级差不超过0.3ev。3.根据权利要求2所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述金属辅助延迟荧光材料选自以下通式所示化合物组成的组：在通式I中，M表示金属Ir、Rh、Ni、Cu或Ag；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y1a、Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；通式II中，M表示金属Pt、Pd或Au；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃，氨基或烷氧基；Y1a、Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃，氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y3e、Y3f、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；在通式III中，M表示金属Pt、Pd、Au或Ag；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y1a、Y1b中的其中一者表示是B(R3)2，另一者表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3或SiR3R4；其中R3、R4各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N或CR5；其中R5表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6或CR7；其中R6、R7各自独立的表示氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、取代烷基、炔烃基、环烷基、环烯烃、氨基或烷氧基；m、n各自独立的表示1或2；表示不饱和的环；通式IV中，M表示金属Ir、Rh、Os、Co或Ru；R1、R2各自独立的表示氢原子、卤原子、羟...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢再锋，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG