一种倒置结构有机发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒置结构有机发光二极管，属于有机光电显示器件技术领域，包括从下至上依次设置的基底、阴极、氧化锌层、银修饰层、空穴阻挡层、有机发光层、空穴传输层和背电极层，银修饰层的厚度为0.2～0.6nm，空穴阻挡层厚度为15～25nm。本发明专利技术还公开了一种倒置结构有机发光二极管的制备方法。本发明专利技术的一种倒置结构有机发光二极管，当发光层为荧光材料时，倒置结构OLED器件的寿命比无金属银修饰层的器件的延长了23％；当发光层为磷光材料时，倒置结构OLED器件同样具备较低开启电压的低功耗特性，倒置结构OLED器件的寿命比无金属银修饰层的器件的延长了25％；本发明专利技术的制备方法，制备工艺简单，与本领域传统热蒸发工艺相兼容，适合于工业化批量生产。

Inverted structure organic light emitting diode and preparation method thereof

The invention discloses an inverted organic light emitting diode, which belongs to the technical field of organic photoelectric display device, comprises a substrate, a cathode from the bottom layer, and Zinc Oxide Ag modified layer, hole blocking layer, an organic light emitting layer, a hole transport layer and a back electrode layer, silver modified layer thickness is 0.2 ~ 0.6Nm. A hole blocking layer thickness is 15 ~ 25nm. The invention also discloses a preparation method of an inverted structure organic light emitting diode. A structure of inverted organic light emitting diode of the invention, when the light emitting layer is a fluorescent material, the structure of inverted OLED device lifetime than the device without metallic silver modified layer increased by 23%; when the light emitting layer of phosphorescent materials, the structure of inverted OLED device also has the characteristics of low power consumption low turn-on voltage, the structure of inverted OLED the lifetime of the device than the device without metallic silver modified layer increased by 25%; the preparation method of the invention, the preparation process is simple, compatible with the traditional thermal evaporation process, suitable for industrial mass production.

【技术实现步骤摘要】
一种倒置结构有机发光二极管及其制备方法
本专利技术属于有机光电显示器件
，具体涉及一种倒置结构有机发光二极管及其制备方法。
技术介绍
有机发光器件(OLED)是有机电子器件中最早问世的器件之一，由于OLED技术具有低功耗、主动发光、全固态、发光亮度高、色彩丰富、易于实现柔性显示等诸多优点，被业界认为是最具有发展前景的下一代平板显示和照明技术之一，并已在商业产品中应用并表现出了强劲的发展势头。通常，OLED的阳极设置基底上表面，这种常规结构被称为正置型OLED器件。而在实际应用中，低能耗的OLED显示器件通常采用有源矩阵背板，其中薄膜晶体管驱动电流流向OLED，但是薄膜晶体管的迁移率很低，只能使用n沟道管子。因此，为了更好地实现有源驱动，OLED要求接在薄膜晶体管漏极与电源之间，这就要求OLED是底电极为阴极的倒置结构。倒置结构OLED实例在本领域中是已知的，已有诸多报道。如：文献《Highlyefficientelectroninjectionfromindiumtinoxide/cross-linkableamino-functionalizedpolyfluoreneint本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置结构有机发光二极管，其特征在于：包括从下至上依次设置的基底(1)、阴极(2)、氧化锌层(3)、银修饰层(4)、空穴阻挡层(5)、有机发光层(6)、空穴传输层(7)和背电极层(8)，其中，所述的银修饰层(4)的厚度为0.2～0.6nm，所述的空穴阻挡层(5)厚度为15～25nm。

【技术特征摘要】
1.一种倒置结构有机发光二极管，其特征在于：包括从下至上依次设置的基底(1)、阴极(2)、氧化锌层(3)、银修饰层(4)、空穴阻挡层(5)、有机发光层(6)、空穴传输层(7)和背电极层(8)，其中，所述的银修饰层(4)的厚度为0.2～0.6nm，所述的空穴阻挡层(5)厚度为15～25nm。2.权利要求1所述的一种倒置结构有机发光二极管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，以玻璃为基底(1)，以ITO为OLED器件的阴极(2)，将ITO玻璃基片放入超声水浴中，清洗后干燥该ITO玻璃基片；将干燥后的ITO玻璃基片放置到旋涂仪的旋涂台上，滴注氧化锌前聚体溶液，然后将ITO玻璃基片放置到加热板上150℃退火30s，从而在ITO玻璃基片上制备出ZnO薄膜，得到氧化锌层(3)；接着将ITO玻璃放入蒸发仪的真空蒸镀舱中，关闭舱门，抽真空，热蒸发Ag层；S2，在热蒸发Ag层时，通过蒸发仪的膜层厚度监测仪控制银的厚度为0.2～0.6nm，表面张力使得金属银膜裂解成银纳米颗粒，得到银修饰层(4)；S3，在蒸发金属银薄膜之后，将蒸发速率调整并保持在依次蒸发有机材料：依次得到空穴阻挡层(5)、有机发光层(6)和空穴传输层(7)；S4，最后，将蒸发速率控制在蒸镀5～8nm厚的氧化钼和100nm厚的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雷，范媛媛，朱雨富，林毅，马亚林，
申请(专利权)人：淮阴工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32