一种发光器件制造技术

本发明专利技术涉及有机发光技术领域，具体涉及一种发光器件。发光器件包括第一电极、第二电极及设置于第一电极和第二电极之间的至少一个有机发光层，有机发光层中含有主体材料、金属辅助延迟荧光敏化剂和荧光猝灭剂；金属辅助延迟荧光敏化剂为将电致发光产生的三线态激子和单线态激子传递给荧光猝灭剂的有机材料；荧光猝灭剂为将全部三线态激子的能量转移给单线态激子，并利用单线态激子进行发光的荧光发光材料。本发明专利技术的发光器件通过有机发光层内对激子的管理，具有非常高的能量利用率，显著提升了发光器件的发光效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件
本专利技术涉及有机发光
，具体涉及一种发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，OLED)的发光机制，主要有荧光和磷光，前者主要是利用S1→S0单重激发态到单重基态的过程，后者主要是利用T1→S0三重激发态到单重基态的过程。对于荧光OLED而言，当电流驱动时，在阳极和阴极同时注入空穴和电子载流子，载流子在发光层的主体材料形成1个单重态激子S1和3个三重态激子T1，然后主体材料的单重态激子S1能量传递给客体材料的单重态S1，最终在客体材料S1→S0而发光。这个过程的能量利用率比较低，因为在理想的状况下，电致发光产生的25％的单重态激子(S1，主体材料)被用于客体材料发光，而剩余75％的三重态激子(T1，主体材料)由于自旋禁阻而被浪费掉。对于磷光OLED材料而言，当电流驱动时，在阳极和阴极同时注入的空穴和电子载流子在EML的主体材料上复合形成单线态和三线态激子，但由于磷光OLED材料含有重金属效应，能够提升单线态到三线态的间隙串跃，理论上可以获得100％的T1激子，从而得到较高的发光效率.磷光OLED在红光和绿光的性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括第一电极、第二电极及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个有机发光层，其特征在于，所述有机发光层中含有主体材料、金属辅助延迟荧光敏化剂和荧光猝灭剂；所述金属辅助延迟荧光敏化剂为将电致发光产生的三线态激子和单线态激子传递给所述荧光猝灭剂的有机材料；所述荧光猝灭剂为将全部三线态激子的能量转移给单线态激子，并利用所述单线态激子进行发光的荧光发光材料。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括第一电极、第二电极及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个有机发光层，其特征在于，所述有机发光层中含有主体材料、金属辅助延迟荧光敏化剂和荧光猝灭剂；所述金属辅助延迟荧光敏化剂为将电致发光产生的三线态激子和单线态激子传递给所述荧光猝灭剂的有机材料；所述荧光猝灭剂为将全部三线态激子的能量转移给单线态激子，并利用所述单线态激子进行发光的荧光发光材料。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述全部三线态激子包括所述荧光猝灭剂自身产生的三线态激子。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述主体材料为形成三线态激子和单线态激子的有机材料；或所述主体材料和所述金属辅助延迟荧光敏化剂为形成三线态激子和单线态激子的有机材料。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述荧光猝灭剂材料选自P型延迟荧光材料或E型延迟荧光材料。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机发光层中所述主体材料的质量百分比含量为A，所述有机发光层中所述金属辅助延迟荧光敏化剂的质量百分比含量为B，所述有机发光层中所述荧光猝灭剂的质量百分比含量为C，所述A、所述B、所述C满足：A/(A+B+C)>60％。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机发光层中所述主体材料的质量百分比含量为A，所述有机发光层中所述金属辅助延迟荧光敏化剂的质量百分比含量为B，所述有机发光层中所述荧光猝灭剂的质量百分比含量为C，所述A、所述B、所述C满足：B/(A+B+C)<30％。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机发光层中所述主体材料的质量百分比含量为A，所述有机发光层中所述金属辅助延迟荧光敏化剂的质量百分比含量为B，所述有机发光层中所述荧光猝灭剂的质量百分比含量为C，所述A、所述B、所述C满足：C/(A+B+C)<20％。8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属辅助延迟荧光材料的ΔE(S1-T1)<0.3Ev，所述金属辅助延迟荧光材料在室温或高温下能够同时利用的三线态激子和单线态激子发光。9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层与所述电子传输层设置于所述第一电极以及所述第二电极之间；所述有机发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属辅助延迟荧光敏化剂选自以下通式所示的化合物：M表示Pt、Pd、Ni、Mg、Zn、Au、Ag、Cu、Ir、Ru、Co；在通式I中：M表示Ir、Rh、Ni、Cu、Ag；R1或R2各自独立的表示氢原子、卤素原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y1a或Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3、SiR3R4，R3或R4选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N、CR5，R5选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6、CR7；R6或R7选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；m为1或2，n为1或2；代表不饱和的环；通式II中：M表示Pt、Pd、Au；R1或R2各自独立的表示氢原子、卤素原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y1a或Y1b各自独立的表示O、NR3、CR3R4、S、AsR3、BR3、PR3、P(O)R3、SiR3R4，R3或R4选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y2a、Y2b、Y2c、Y2d各自独立的表示N、CR5，R5选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯烃、取代或未取代的烷氧基；Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y4a、Y4b、Y4c、Y4d各自独立的表示N、O、S、NR6、CR7；R6或R7选自氢原子、卤原子、羟基、硫醇基、氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔烃基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢再锋，陈少海，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32