顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。本发明专利技术提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。还可以简化薄膜晶体管的结构，从而可以有效地减少工艺复杂度，缩减薄膜晶体管的制作工序。

Top gate type thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display panel

The invention discloses a top gate type thin film transistor and its manufacturing method, array substrate, display panel includes forming a shading layer between the substrate and substrate in the active layer, the shading layer is made of non metal materials. The top gate type thin film transistor is provided with non metal material as the shading layer, not only avoids the parasitic capacitance of metal layer as the shading layer generated, and can effectively reduce the influence of leakage of the active region, so as to effectively improve the product yield and device performance. The structure of the thin film transistor can be simplified so that the process complexity can be effectively reduced and the manufacturing process of the thin film transistor can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是指一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
平面显示器(FlatPanelDisplay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(PlasmaDisplayPanel，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。尤其是金属氧化物薄膜晶体管(MetalOxideThinFilmTransistor，MOTFT)，由于具有较高的迁移率(在5～50cm2/Vs左右)、制作工艺简单、成本较低，且具有优异的大面积均匀性等特点，因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。白光OLED(WhiteOrganicLightEmittingDiode，WOLED)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。2.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用光固化有机硅材料制成。3.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用遮光负性光固化有机硅材料制成。4.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述光固化有机硅材料为笼型聚倍半硅氧烷或线性有机硅树脂；所述笼型聚倍半硅氧烷的结构如下所示：所述线性有机硅树脂的结构如下所示：其中，R为负性胶光敏基团。5.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述光固化有机硅材料中添加有荧烷黑类染料和/或结晶紫类染料。6.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的厚度小于等于所述源漏极层的厚度。7.根据权利要求6所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层的厚度为1-2μm；和/或，所述遮光层的厚度为小于1μm。8.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底基板上形成遮光层，其中，所述遮光层采...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建业，李伟，张星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11