功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法技术方案

本发明专利技术涉及功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法。功率模块具有：下桥臂用的第一MOS晶体管(Q1)及第一肖特基势垒二极管(D1)、以及上桥臂用的第二MOS晶体管(Q2)及第二肖特基势垒二极管(D2)。在一个实施方式中，正侧以及负侧的电源端子(P、N)各设置1个，与第一及第二MOS晶体管(Q1、Q2)连接的输出端子(MO)和与第一及第二肖特基势垒二极管(D1、D2)连接的输出端子(DO)分离。

Power module, 3 phase inverter system, and power module inspection method

The invention relates to a power module, a 3 phase inverter system, and a method for checking a power module. The power module includes a first MOS transistor (Q1) and a first Schottky barrier diode (D1) for the lower bridge arm, and a second MOS transistor (Q2) for the upper bridge arm, and a two Schottky barrier diode (D2). In one embodiment, the power supply terminal positive side and the negative side (P, N) of each set of 1, and the first and two MOS transistors (Q1, Q2) connected to the output terminal (MO) and the first and two Schottky barrier diodes (D1, D2) connected to the output terminal (DO) separation.

【技术实现步骤摘要】
功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法
本公开涉及组装有MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)的功率模块以及具有该功率模块的3相逆变器系统。并且，本公开涉及功率模块的检查方法。
技术介绍
组装有功率MOSFET、与该功率MOSFET反向并联连接的续流二极管的功率模块得到了实用化。在这种功率模块中，作为续流二极管，大多采用具有高速通断动作和低正向压降这些特征的肖特基势垒二极管(例如，参照国际公开2010/004802号)。作为MOSFET(还称作MOS晶体管)的故障模式之一，存在体二极管的通电劣化。该故障是在正向电流持续流过体二极管这种PN结二极管的情况下，因由于电子-空穴对的结合能而使得外延层的堆垛层错生长所产生的。特别是，由于在将SiC(碳化硅)以及GaN(氮化镓)等宽带隙半导体作为半导体材料而使用的情况下容易产生堆垛层错，因此该故障模式容易成为问题。在作为续流二极管而使用了正向压降低的肖特基势垒二极管的情况下，续流电流几乎都流过肖特基势垒二极管，因此能够减少流过MOSFET的体二极管的电流。然而，在MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率模块，其具有：框体；第一端子、第二端子、第三端子以及第四端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第一MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第一及第二端子之间，从所述第二端子向所述第一端子的方向是正向；第二MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第二及第三端子之间，从所述第三端子向所述第二端子的方向是正向；第一肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第一端子连接，阴极与所述第四端子连接；以及第二肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第三端子连接，阳极与所述第四端子连接，在所述第二端子，除了所述第一及第二MOS晶体管各自的体二极管之外，不连接其他任何二极管。

【技术特征摘要】
2016.01.19 JP 2016-0079401.一种功率模块，其具有：框体；第一端子、第二端子、第三端子以及第四端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第一MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第一及第二端子之间，从所述第二端子向所述第一端子的方向是正向；第二MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第二及第三端子之间，从所述第三端子向所述第二端子的方向是正向；第一肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第一端子连接，阴极与所述第四端子连接；以及第二肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第三端子连接，阳极与所述第四端子连接，在所述第二端子，除了所述第一及第二MOS晶体管各自的体二极管之外，不连接其他任何二极管。2.一种功率模块，其具有：框体；第一端子、第二端子、第三端子、第四端子以及第五端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第一MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第一及第二端子之间，从所述第二端子向所述第一端子的方向是正向；第二MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第二及第三端子之间，从所述第三端子向所述第二端子的方向是正向；第一肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第二端子连接，阳极与所述第四端子连接；以及第二肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第二端子连接，阴极与所述第五端子连接。3.根据权利要求1所述的功率模块，其中，还具有：第五端子以及第六端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第三MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第一及第五端子之间，从所述第五端子向所述第一端子的方向是正向；第四MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第三及第五端子之间，从所述第三端子向所述第五端子的方向是正向；第三肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第一端子连接，阴极与所述第六端子连接；以及第四肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第三端子连接，阳极与所述第六端子连接。4.根据权利要求3所述的功率模块，其中，还具有：第七端子以及第八端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第五MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第一及第七端子之间，从所述第七端子向所述第一端子的方向是正向；第六MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第三及第七端子之间，从所述第三端子向所述第七端子的方向是正向；第五肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第一端子连接，阴极与所述第八端子连接；以及第六肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第三端子连接，阳极与所述第八端子连接。5.根据权利要求2所述的功率模块，其中，还具有：第六端子、第七端子、第八端子、第九端子以及第十端子，它们分别固定于所述框体，能够与外部连接；第三MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第六及第七端子之间，从所述第七端子向所述第六端子的方向是正向；第四MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第七及第八端子之间，从所述第八端子向所述第七端子的方向是正向；第三肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第七端子连接，阳极与所述第九端子连接；以及第四肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第七端子连接，阴极与所述第十端子连接。6.根据权利要求5所述的功率模块，其中，还具有：第十一端子、第十二端子、第十三端子、第十四端子以及第十五端子，它们分别固定于所述框体，与外部连接；第五MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第十一及第十二端子之间，从所述第十二端子向所述第十一端子的方向是正向；第六MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第十二及第十三端子之间，从所述第十三端子向所述第十二端子的方向是正向；第五肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阴极与所述第十二端子连接，阳极与所述第十四端子连接；以及第六肖特基势垒二极管，其收容于所述框体，阳极与所述第十二端子连接，阴极与所述第十五端子连接。7.根据权利要求2所述的功率模块，其中，还具有：第六端子，其固定于所述框体，能够与外部连接；第三MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第四及第六端子之间，从所述第六端子向所述第四端子的方向是正向；以及第四MOS晶体管，其收容于所述框体，连接于所述第五及第六端子之间，从所述第五端子向所述第六端子的方向是正向。8.根据权利要求7所述的功率模块，其中，还具有：绝缘基板，其收容于所述框体；第一导电图案，其形成于所述绝缘基板之上，与所述第一端子连接；第二导电图案，其形成于所述绝缘基板之上，与所述第二端子连接；第三导电图案，其形成于所述绝缘基板之上，与所述第三端子连接；第四导电图案，其形成于所述绝缘基板之上，与所述第四端子连接；第五导电图...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉町诚也，白水政孝，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP