半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，半导体装置具备：环状的第1框架；多个半导体元件；第1电极；第2电极；第2框架，设置在第1框架的内侧，至少一部分设置在第1电极与第2电极之间，含有树脂，保持多个半导体元件；环状的第1部件，设置在第1电极的周围，连接第1框架与第1电极，含有金属；环状的第2部件，设置在第2电极的周围，连接第1框架与第2电极，含有金属；环状的第1弹性体，设置在第1电极的周围，至少一部分设置在第1部件与第2框架之间，外周部的至少一部分的区域与第1框架接触或重叠；以及环状的第2弹性体，设置在第2电极的周围，至少一部分设置在第2部件与第2框架之间。

Semiconductor device

According to one embodiment, a semiconductor device includes a first frame ring; a plurality of semiconductor elements; first electrode; a second electrode; second frame is arranged on the inner side of the first frame, at least a portion is positioned between the first electrode and the second electrode containing resin, holding a plurality of semiconductor elements; the first member ring, set around the first electrode, connecting the first frame and the first electrode containing metal; second member ring, is arranged around the second electrode, connecting the first frame and the second electrode containing metal; first elastic ring, is arranged around the first electrode, at least a portion is arranged between the first part and the second outer frame. At least first peripheral parts of the region and the frame part of the touch or overlap; and second elastic annular body is arranged around the second electrode, at least one part is arranged on the second parts and the Between 2 frames.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请基于2016年1月19日提出的在先日本专利申请2016－008331号，并且要求享受其优先权利益，在此通过引用包含其全部内容。
在此说明的实施方式整体上涉及半导体装置。
技术介绍
压接型半导体装置实现基于两面散热的功率密度提高、以及高电压·大电流下的高可靠性。压接型半导体装置具备：设置在绝缘性的框架内部的多个半导体元件被上下电极块夹住而被气密封固的构造。通过从外部向上下电极块施加按压力，来保持内部的电接触。对压接型半导体装置而言，即使内部的半导体元件的一部分故障破坏，半导体装置自身也不破损而短路。因此，通过将压接型半导体装置串联连接来使用，具有以下优点：在半导体元件破坏后也不用使系统立即停止而能够工作。但是，如果故障破坏的半导体元件上施加过剩的负载并流过过电流，则有因温度显著上升而半导体元件熔融并蒸发的情况。通过半导体元件的蒸发，内部压力上升，有可能导致半导体装置爆炸而破损。如果发生半导体装置的破损，则装置的单片向周围飞散，损伤半导体装置周边的电路及冷却装置，系统有可能无法工作。
技术实现思路
实施方式的目的在于提供能够抑制破损的压接型半导体装置。根据一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：环状的第1框架；多个半导体元件；第1电极；第2电极；第2框架，设置在所述第1框架的内侧，至少一部分设置在所述第1电极与所述第2电极之间，含有树脂，保持所述多个半导体元件；环状的第1部件，设置在所述第1电极的周围，连接所述第1框架与所述第1电极，含有金属；环状的第2部件，设置在所述第2电极的周围，连接所述第1框架与所述第2电极，含有金属；环状的第1弹性体，设置在所述第1电极的周围，至少一部分设置在所述第1部件与所述第2框架之间，外周部的至少一部分的区域与所述第1框架接触或重叠，达到弹性界限前的位移量比所述第1部件大；以及环状的第2弹性体，设置在所述第2电极的周围，至少一部分...

【技术特征摘要】
2016.01.19 JP 2016-0083311.一种半导体装置，具备：环状的第1框架；多个半导体元件；第1电极；第2电极；第2框架，设置在所述第1框架的内侧，至少一部分设置在所述第1电极与所述第2电极之间，含有树脂，保持所述多个半导体元件；环状的第1部件，设置在所述第1电极的周围，连接所述第1框架与所述第1电极，含有金属；环状的第2部件，设置在所述第2电极的周围，连接所述第1框架与所述第2电极，含有金属；环状的第1弹性体，设置在所述第1电极的周围，至少一部分设置在所述第1部件与所述第2框架之间，外周部的至少一部分的区域与所述第1框架接触或重叠，达到弹性界限前的位移量比所述第1部件大；以及环状的第2弹性体，设置在所述第2电极的周围，至少一部分设置在所述第2部件与所述第2框架之间，达到弹性界限前的位移量比所述第2部件大。2.如权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑原芳光，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP