TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT基板的制作方法。该制作方法包括以下步骤：利用第一道光罩工艺，在基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；利用第三道光罩工艺，在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层，对第一半导体层导体化以形成第一导体层，在基板上形成第二导体层，在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极。该方案工艺步骤简单，可提高生产效率，降低生产成本。

Method for making TFT substrate

The invention provides a method for manufacturing a TFT substrate. The preparation method comprises the following steps: using the first mask process, buffer layer, data line and source is formed on the substrate, and the buffer layer is arranged on the first scanning line, a second scan line and a gate; using second mask process, a first insulating layer is formed on the buffer layer, a gate insulating layer is formed on the second. In the data line, where the first scanning lines, the second scanning line, a first semiconductor layer is formed in the source, forming a second semiconductor layer; the third mask process, the second insulating layer forming a first photoresist layer and a second semiconductor layer, the first insulating layer on the second photoresist layer is formed on the first semiconductor layer of the conductor. To form a first conductor layer, a second conductor layer formed on the substrate, the first conductive layer and a second insulating electric connection part, formed in the second semiconductor layer is formed on the upper layer Drain. The process is simple and can improve production efficiency and reduce production cost.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法
本专利技术涉及液晶面板制作领域，特别是涉及一种TFT基板的制作方法。
技术介绍
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。在液晶面板工业中，通过TFT基板来控制液晶的排列，从而实现不同灰度光线的显示，TFT基板为液晶面板中的重要部分，其生产也属于液晶面板制造过程中的重要工艺。随着TFT技术的发展，制程Mask(光罩)需求从5/6Mask降到现在主流的4Mask。每减少一道Mask，机器物料时间成本都会下降较多，大大提高产品竞争力。3MaskTFT因其节约一道Mask，较大幅度降低成本，相关技术较热门。相关技术中采用环形栅极结构的TFT基板，因其性能优越，越来越受到人们的重视。然而，该环形栅极结构的TFT基板运用于量产时，其工艺步骤较复杂繁琐，导致制作成本较高。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进的TFT基板的制作方法。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种TFT基板的的制作方法，包括以下步骤：提供一基板；利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层以及第二半导体层上的光阻半曝光，以在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层；对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层；在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层，以在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极，其中，电连接部通过第一导体层使得第一扫描线与第二扫描线连接。在一些实施例中，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极的步骤，包括：在该基板上形成缓冲层；在缓冲层上涂布光阻；通过黄光工艺和蚀刻工艺，形成第一扫描区域、第二扫描区域、栅极区域、数据线区域以及源极区域；在该基板上沉积金属层后剥离光阻，以在第一扫描区域形成第一扫描线、第二扫描区域形成第二扫描线、栅极区域形成栅极、数据线区域形成数据线，以及在源极区域形成源极。在一些实施例中，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层的步骤，包括：在该基板上形成绝缘材料层；对该绝缘材料层进行图形化处理，以使第一扫描线、第二扫描线以及源极露出，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，以及在数据线上形成第二绝缘层；在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层。在一些实施例中，对该绝缘材料层进行图形化的步骤，包括：在该基板上涂布光阻；通过黄光工艺，对位于第一扫描线、第二扫描线以及源极上的绝缘材料层上的光阻全曝光，以使位于第一扫描线、第二扫描线以及源极上的绝缘材料层露出；通过刻蚀工艺，对位于第一扫描线、第二扫描线以及源极上的绝缘材料层进行刻蚀。在一些实施例中，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层的步骤，包括：通过物理气相沉法，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层。在一些实施例中，对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层的步骤，包括：对第一半导体层导体化以形成第一导体层；对光阻进行灰化，以去除第一光阻层。在一些实施例中，在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层的步骤，包括：通过物理气相沉积法，在基板上形成第二导体层；通过光阻剥离工艺，去除第二光阻层。在一些实施例中，第一半导体层、第二半导体层的材料为铟镓锌氧化物。在一些实施例中，第二导体层的材料为氧化铟锡。在一些实施例中，缓冲层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层。相较于现有的TFT基板的制作方法，本专利技术利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层以及第二半导体层上的光阻半曝光，以在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层；对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层；在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层，以在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极，其中，电连接部通过第一导体层使得第一扫描线与第二扫描线连接。该方案通过三道光罩工艺，使露出的第一半导体导体化，工艺步骤较简单，提高了生产效率，同时降低了生产成本。附图说明图1为本专利技术优选实施例中TFT基板的制作方法的流程示意图。图2A-2E为图1所示TFT基板的制作方法中第一道光罩工艺对应形成基板的结构示意图。图3A-3E为图1所示TFT基板的制作方法中第二道光罩工艺对应基板的结构示意图。图4A-4F为图1所示TFT基板的制作方法中第三道光罩工艺对应基板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的模块是以相同标号表示。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。参阅图1，图1为本专利技术优选实施例提供的TFT基板的制作方法的流程示意图。如图1所示，本优选实施例的TFT的制作方法，包括以下步骤：S101、提供一基板，利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；S102、利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；S103、在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层以及第二半导体层上的光阻半曝光，以在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层；对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层；在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层，以在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极，其中，电连接部通过第一导体层使得第一扫描线与第二扫描线连接。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层以及第二半导体层上的光阻半曝光，以在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层；对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层；在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层，以在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极，其中，电连接部通过第一导体层使得第一扫描线与第二扫描线连接。2.如权利要求1所述的TFT基板的的制作方法，其特征在于，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极的步骤，包括：在该基板上形成缓冲层；在缓冲层上涂布光阻；通过黄光工艺和蚀刻工艺，形成第一扫描区域、第二扫描区域、栅极区域、数据线区域以及源极区域；在该基板上沉积金属层后剥离光阻，以在第一扫描区域形成第一扫描线、第二扫描区域形成第二扫描线、栅极区域形成栅极、数据线区域形成数据线，以及在源极区域形成源极。3.如权利要求1所述的TFT基板的的制作方法，其特征在于，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44