一种光电半导体材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电半导体材料的制备方法，包括如下步骤：按摩尔比Y

Method for preparing photoelectric semiconductor material

The invention discloses a method for preparing a semiconductor photoelectric material, which comprises the following steps: mol ratio of Y

【技术实现步骤摘要】
一种光电半导体材料的制备方法
本专利技术涉及材料制备领域，具体涉及一种光电半导体材料的制备方法。
技术介绍
目前照明光源的发展比较成熟的已有三大类：白炽灯泡，普通和紧凑型荧光灯及不同类型的高强度气体放电灯，属于真空点光源器件，它们各有不同的优缺点。稀土元素是指镧系元素加上同属IIIB族的钪Sc和钇Y，共17种元素。镧系原子都具有未充满的受外界屏蔽的4f5d轨道，他们的电子组态为：1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f0-145s25p65d0-16s2或又可写成为[Xe]4f0-145d0-16s2。稀土化合物的发光是基于稀土离子的4f电子在f-f组态之内或f-d组态之间的跃迁。由于4f轨道处于内层，很少受到外界环境的影响。材料的发光颜色基本不随基质的不同而改变；荧光寿命长从纳秒跨越到毫秒6个数量级，磷光最长达十多个小时；其光谱形状很少随温度而变，温度猝灭小，浓度猝灭小；稀土化合物表现出良好的光、电、磁功能，能承受大功率的电子束、高能射线和强紫外光的作用，材料的物理化学性能很稳定。尤其具有一般化合物所无法比拟的光谱学性质，它们可以产生多种多样的辐射吸收，发射从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、分别量取18.6份的质量分数为0.1mol/L的Y(NO3)3溶液、1.2份的质量分数为0.05mol/L的Eu(NO3)3溶液和1.2份质量分数为0.05mol/L的Gd(NO3)3溶液，按摩尔比Y

【技术特征摘要】
1.一种光电半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、分别量取18.6份的质量分数为0.1mol/L的Y(NO3)3溶液、1.2份的质量分数为0.05mol/L的Eu(NO3)3溶液和1.2份质量分数为0.05mol/L的Gd(NO3)3溶液，按摩尔比Y3+:Eu3+:Gd3+＝93:4:3混合于锥形瓶中，加入0.6份L-谷氨酸,在室温下磁力搅拌40min，得溶液A；S2、按摩尔比n(RE3+)：n(Mo6+)＝1:1的比例称取0.5份的Na2MoO4溶于一定量的去离子水中，得溶液B；S3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐源，冯范，李孟，贾丝雨，高阳阳，
申请(专利权)人：南阳理工学院，
类型：发明
国别省市：河南,41