一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有具有第一厚度的第一介电层，在第一介电层中形成有具有第一宽度的第一开口；在第一开口的两个侧壁上形成间隙壁；在第一开口中的半导体衬底上形成具有第二厚度的第二介电层；去除所述第一开口侧壁上的间隙壁，形成两个具有第二宽度的第二开口；步骤在所述第二开口中的半导体衬底上形成具有第三厚度的第三介电层；其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一厚度、第二厚度大于所述第三厚度。该制作方法可以形成小尺寸的隧穿氧化层，且无需使用更先进的光刻工艺以及设备。该半导体器件和电子装置具有成本较低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
电可擦可编程只读存储器(EEPROM，ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，是一种掉电后数据不丢失的存储器件；其可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM器件作为一种重要的存储器件，其信息存储是通过在控制栅极(ControlGATE)上施加电压使得电子透过隧穿氧化层(tunnelOX)进入到浮置栅极(FloatingGATE)，从而使信息得到保存。然而随着电子技术和半导体技术的不断发展和现实需求，EEPROM器件的尺寸势必将越来越小，EEPROM器件的减小对器件制造工艺提出更高要求。这是因为不同于快闪(Flash)存储器件，EEPROM的隧穿氧化层尺寸较小。比如，对于0.15um以下EEPROM器件，其隧穿氧化层的宽度约为90nm。一般隧穿氧化层制造可以通过先进光刻机和蚀刻定义出小尺寸沟道，并用炉管工艺在沟道上生成。但是由于传统光刻机的解析能力有限，经过曝光显影工艺后，定义出的沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有具有第一厚度的第一介电层，在所述第一介电层中形成有具有第一宽度的第一开口，所述第一开口露出所述半导体衬底；在所述第一开口的两个侧壁上形成间隙壁；在所述第一开口的中间区域在半导体衬底上形成具有第二厚度的第二介电层；去除所述第一开口侧壁上的间隙壁，形成两个具有第二宽度的第二开口，所述第二开口露出所述半导体衬底；在所述第二开口中的半导体衬底上形成具有第三厚度的第三介电层；其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一厚度、第二厚度大于所述第三厚度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有具有第一厚度的第一介电层，在所述第一介电层中形成有具有第一宽度的第一开口，所述第一开口露出所述半导体衬底；在所述第一开口的两个侧壁上形成间隙壁；在所述第一开口的中间区域在半导体衬底上形成具有第二厚度的第二介电层；去除所述第一开口侧壁上的间隙壁，形成两个具有第二宽度的第二开口，所述第二开口露出所述半导体衬底；在所述第二开口中的半导体衬底上形成具有第三厚度的第三介电层；其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一厚度、第二厚度大于所述第三厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一介电层中形成有具有第一宽度的第一开口的包括：在所述第一介电层上形成硬掩膜层和抗反射层；在所述硬掩膜层和抗反射层中形成具有第一宽度的第三开口；以所述硬掩膜层和抗反射层为掩膜蚀刻所述第一介电层，以在所述第一介电层中形成所述具有第一宽度的第一开口。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，以所述硬掩膜层和抗反射层为掩膜蚀刻所述第一介电层，以在所述第一介电层中形成所述具有第一宽度的第一开口的步骤包括：在所述第一开口所对应的第一介电层区域中通过干法刻蚀去除一部分厚度的第一介电层；用缓冲氧化物刻蚀液去除所述第一开口所对应的第一介电层区域中剩余的第一介电层，以在所述第一介电层中形成所述第一开口。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一开口的两个侧壁上形成间隙壁的步骤包括：在所述第一开口的侧壁和底部上形成间隙壁材料层；刻蚀所述间隙壁材料层以去除所述第一开口底部的间隙壁材料层，以在所述第一开口的侧壁上形成间隙壁。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀所述间隙壁材料层以去除所述第一开口底部的间隙壁材料层，以在所述第一开口的侧壁上形成间隙壁的步骤包括：刻蚀所述间隙壁材料层以去除一定厚度的间隙壁材料层；用缓冲氧化层刻蚀液去除所述第一开口底部剩余的间隙壁材料层，以在所述第一开口的侧壁上形成间隙壁。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏，李俊，代洪刚，顾官官，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31