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本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有具有第一厚度的第一介电层，在第一介电层中形成有具有第一宽度的第一开口；在第一开口的两个侧壁上形成间隙壁；在第一开口中的半导体衬...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。