一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于储液池单元上，且同轴安装，第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且内部连通。本发明专利技术通过独立分圈缓冲结构有效解决因头部颠簸、振动所引起的电极与头皮接触不稳和运动伪迹；通过导电液体自动补给加注结构，保证电极触点圆柱作为电极的低阻抗特性和长时间连续使用。

Low impedance EEG sensing electrode device based on independent lap buffer structure

The invention provides a ring buffer structure based on independent low impedance EEG sensing electrode device comprises an electrode cap (10), the first buffer spring (30), second (40), the first buffer spring reservoir unit, second liquid storage tank unit and contact cylinder (90); the first buffer spring (30) and second (40) of the buffer spring is fixed on the electrode cap (10) under the surface, the lower end is fixed on the liquid storage tank unit, and coaxial installation, second buffer spring (40) is larger than the diameter of the first buffer spring (30) diameter; below the liquid storage tank units are distributed with a plurality of the electrode contact cylinder (90), and internal communication. The invention effectively solves the head bumps, caused by vibration of the electrode in contact with the scalp instability and motion artifacts by independent ring buffer structure; automatic supply structure by filling the conductive liquid, ensure the electrode contact cylinder as a low impedance electrode and continuously for a long time.

【技术实现步骤摘要】
一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置
本专利技术涉及脑电传感电极领域，尤其是一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置。
技术介绍
脑机接口可广泛用于运动紊乱、老年痴呆、癫痫、中风等疾病的诊断、辅助治疗或康复，改善患有运动功能障碍疾病患者的生活质量。比如，患有运动功能障碍病人可以通过其脑电波控制轮椅的运动，从而辅助自己行走。随着世界人口基数的不断增长以及老龄化人口的不断增长，患帕金斯病、老龄痴呆、癫痫等疾病的人数也将会不断增加。出于对这些疾病的治疗需求，也将驱动脑机接口技术的不断加速发展。在脑机接口技术中，脑电信号作为脑机接口应用的原始输入信号，是实现其应用的基础与根本。脑电的采集质量以及相关的采集环境限制，严重制约着各种脑机接口技术应用的可靠性和实用性。如何在保证脑电信号质量的同时，尽可能地减少采集环境的限制，从而扩大脑机接口技术应用的使用范围。头皮脑电传感电极作为转换元件，可将人体内以离子形式传导的脑电信号转换成电子系统中以电子形式传导的脑电信号，从而实现脑电信号的采集。在脑电信号采集中电极扮演着关键角色，其性能指标对整个脑机接口系统有着制约性的影响。现有常规湿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第一储液池单元上；第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第二储液池单元上；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)同轴安装，且第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；第一储液池单元和第二储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且与电极触点圆柱(90)内部连通。

【技术特征摘要】
1.一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第一储液池单元上；第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第二储液池单元上；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)同轴安装，且第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；第一储液池单元和第二储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且与电极触点圆柱(90)内部连通。2.根据权利要求1所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述第一储液池单元包括内圆环盖(50)和内圆环(80)；所述第一缓冲弹簧(30)的下端固定于内圆环盖(50)的上表面；所述内圆环(80)固定于所述内圆环盖(50)的下表面；所述内圆环盖(50)和内圆环(80)之间为第一储液池(81)。3.根据权利要求2所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述内圆环(80)为圆槽状，底部均布开有多个直径相等的圆通孔，电极触点圆柱(90)安装于圆通孔内。4.根据权利要求2或3所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述内圆环盖(50)为圆形状，上表面带有圆形凸台，圆形凸台上开有用于安装第一缓冲弹簧(30)的第三弹簧安放槽(51)和第一圆孔(52)；第三弹簧安放槽(51)为圆环状；第一圆孔(52)位于内圆环盖(50)正中央。5.根据权利要求4所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述第二储液池单元包括外圆环盖(60)和外圆环(70)；所述第二缓冲弹簧(40)的下端固定于外圆环盖(60)的上表面；所述外圆环(70)固定于所述外圆环盖(60)的下表面；所述外圆环盖(60)和外圆环(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈远方，张利剑，段彦军，
申请(专利权)人：北京机械设备研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11