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本发明提供了一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极...
该专利属于北京机械设备研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京机械设备研究所授权不得商用。

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