一种绝缘栅双极型晶体管器件制造技术

本发明专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空。本发明专利技术在具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区不连续，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，进一步降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极型晶体管器件
本专利技术属于功率半导体器件
，具体来说涉及一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。
技术介绍
IGBT是大功率应用的主流器件，不但可以耐受高压和提供大电流，而且控制方便。IGBT结构设计多种多样，其中具有虚拟原胞区域(dummycell)的结构是比较常用的(参见，比如，美国专利8633510，以下称为“专利文件1”)。专利文件1中描述的典型IGBT结构如图1所示。该结构包括：背面的金属集电极12、P型集电极11、N型场终止层10和N-漂移区9。晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞。有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开。沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极3和栅氧化层7组成。有源原胞包括N+发射区1和P+接触区2，它们通过介质层4的窗口和金属发射极5相连。有源原胞内的P型阱区6通过P+接触区2和发射极电极相连。虚拟原胞包含P型深阱8。P型深阱8不和任何电极相连，其电位悬空。图1结构的特征在于虚拟原胞的P型深阱8，其好处是可以减少栅电容。但是，这种P型深阱需要额外的扩散工艺实现，所以增加了工艺成本。P型深阱8和N-漂移区9之间还形成了大面积的PN结，降低了器件正向导通状态下的储存载流子密度，所以器件的正向饱和压降(Vcesat)比较大。所以，有必要改进这种IGBT结构，降低工艺成本，同时降低器件的饱和压降。
技术实现思路
本专利技术的目的是减少工艺成本，而且提高晶体管器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，为此，本专利技术在传统的具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把虚拟原胞的悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区是不连续的，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降。具体来说，本专利技术采用了以下技术方案：一种绝缘栅双极型晶体管，包括背面的金属集电极12、P型集电极11、N型场终止层10和N-漂移区9，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极3和栅氧化层7组成，有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区1和多个P+接触区2，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连；有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区6，有源原胞内的P型阱区6通过P+接触区2和发射极电极相连，其特征在于：虚拟原胞内包含一个或多个P型阱区6，并且虚拟原胞内包含的所述一个或多个P型阱区6是不连续的，而且其电位悬空。优选地，多晶硅3从沟槽内伸展出来形成多晶硅桥，覆盖了虚拟原胞，在电位悬空的不连续P型阱区6上方，多晶硅桥开有窗口。进一步，所述原胞的结构形状是条形、圆形、方形或者多边形。优选地，所述晶体管的半导体材料是硅、碳化硅或者氮化硅。本专利技术的有益技术效果：本专利技术在传统的具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把虚拟原胞的悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区是不连续的，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，并且进一步降低了工艺成本。附图说明图1是现有技术中IGBT结构图；图2是本专利技术的一种实施方案的结构图；图3是本专利技术的一种变型的结构图；图4是两种IGBT结构的正向电流-电压曲线图；图5是模拟所用的开关电路图；图6是两种IGBT结构的关断波形。具体实施方式本专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞(dummycell)，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空。本专利技术的技术方案如下：一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区。晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞(dummycell)。有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开。沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连。有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区。有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连。虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空。作为本专利技术的进一步改进，所述多晶硅从沟槽内伸展出来形成多晶硅桥，覆盖了虚拟原胞。在悬空的P型阱区上方，多晶硅桥开有窗口。作为本专利技术的进一步改进，所述的原胞结构形状是条形、圆形、方形或者多边形。作为本专利技术的进一步改进，所述的半导体材料可以是硅，碳化硅或者氮化硅。下面结合附图对本专利技术作进一步详细说明。实施例一：本专利技术的一种绝缘栅双极型晶体管结构如图2所示，包括背面的金属集电极12、P型集电极11、N型场终止层10和N-漂移区9，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞。有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开。沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极3和栅氧化层7组成，有源原胞包括N+发射区1和P+接触区2，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连。有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区6。有源原胞内的P型阱区6通过P+接触区2和发射极电极相连。其特征在于：虚拟原胞内的P型阱区6是不连续的，而且其电位悬空。实施例二：图3所示为本专利技术的一种变形结构，该实施例的晶体管和实施例一的晶体管结构相比，多晶硅可以从沟槽中伸展出来形成多晶硅桥状结构，覆盖虚拟原胞。在悬空的P型阱区6上方，多晶硅桥中可以有孔。这种结构的好处是多晶硅桥可以作为形成P型阱区6的注入工艺的自对准掩膜，节省一块光刻版，进一步降低工艺成本。本专利技术的工作原理如下：图1所示的结构，虚拟原胞的P型阱8和有源原胞的P型阱6的深度不同，所以无法同时制造完成，必须额外的工艺步骤。而且，P型深阱8和N-漂移区9之间还形成了大面积的PN结。尽管P型深阱8是处于悬空电位，但是P型深阱8和N-漂移区9之间仍然存在内在耗尽层(built-indepletionregion)，降低了器件正向导通状态下的储存载流子密度，所以器件的正向饱和压降比较大。图2所示的结构，虚拟原胞的P型阱6和有源原胞的P型阱6是同时制造完成的。而且虚拟原胞的P型阱6不连续，所以P型阱6和N-漂移区9之间PN结的面积比较小，所以其储存载流子密度比图1结构大，其正向饱和压降也比图1结构小。为了定量的对比几种结构的性能，接下来对图1结构和本专利技术的图2结构的性能进行了三维数值模拟分析和对比。模拟的两种器件各层掺杂参数完全相同，而且都以1200VIGBT为例。图4是两种IGBT的正向导通特性比较图。从中可以看出，结温(Tj)为150℃时，饱和压降(Vcesat)如下表所示。图1结构图2结构Vcesat2.47V2.27V由此可见，和图1结构相比，本专利技术提供的结构可以显著的降低饱和压降。为了对比两种IGBT的动态开关特性，还进行了开关电路的三维数值模拟。图5是用来测试的硬开关(hardswitching)电路。电路由IGBT和回流二极管(freewheelingdiode)，负载电感(LLoad)和母线电压(Vbus)组成。IGBT的栅极由驱动电路(driver)通过栅电阻(Rg)控制。IGBT还具有寄生电感(Lg，Lc和Le)。图6是两种结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管，包括背面的金属集电极(12)、P型集电极(11)、N型场终止层(10)和N‑漂移区(9)，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(7)组成，有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区(1)和多个P+接触区(2)，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连；有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区(6)，有源原胞内的P型阱区(6)通过P+接触区(2)和发射极电极相连，其特征在于：虚拟原胞内包含一个或多个P型阱区(6)，并且虚拟原胞内包含的所述一个或多个P型阱区(6)是不连续的，而且其电位悬空。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括背面的金属集电极(12)、P型集电极(11)、N型场终止层(10)和N-漂移区(9)，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(7)组成，有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区(1)和多个P+接触区(2)，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连；有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区(6)，有源原胞内的P型阱区(6)通过P+接触区(2)和发射极电极相连，其特征在于：虚拟原胞...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宇柱，
申请(专利权)人：常州中明半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32